Mode MOSFET. TDM3508 Datasheet

TDM3508 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

TDM3508 Datasheet
Recommendation TDM3508 Datasheet
Part TDM3508
Description N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Feature TDM3508; T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3508  uses  advanced.
Manufacture Techcode
Datasheet
Download TDM3508 Datasheet




Techcode TDM3508
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
DESCRIPTION 
The  TDM3508  uses  advanced  trench  technology  to 
provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This 
device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM 
applications. 
GENERAL FEATURES 
RDS(ON) < 9.8mΩ @ VGS=4.5V   
RDS(ON) < 7.0mΩ @ VGS=10V 
High Power and current handling capability 
Lead free product is available 
Surface Mount Package 
Application 
PWM applications 
Load switch 
Power management 
 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted) 
Parameter 
DrainSource Voltage 
GateSource Voltage 
Drain Current @ Continuous 
Drain Current @ CurrentPulsed (Note 1) 
Maximum Power Dissipation   
Drain Current @ Continuous 
Maximum Power Dissipation   
Maximum Operating Junction Temperature 
Storage Temperature Range 
 
Symbol 
VDS 
VGS 
IDTC=25℃) 
IDTC=100℃) 
IDMTC=25℃) 
PD(TC=25) 
PD(TC=100) 
IDTA=25℃) 
IDTA=70℃) 
PD(TA=25) 
PD(TA=70) 
TJ 
TSTG 
Limit 
30 
+20 
60 
38 
120 
30 
12 
17 
13.5 
2.5 
1.6 
150 
55 To 150 
DATASHEET
TDM3508
 
 
Unit 
V 
V 
A 
A 
A 
W 
W 
A 
A 
W 
W 
 
 
October  15,  2015                                                      Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
1 



Techcode TDM3508
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted) 
DATASHEET
TDM3508
Parameter 
Symbol  Condition 
Min 
OFF CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
BVDSS  VGS=0V ID=250μA 
30 
Zero Gate Voltage Drain Current 
IDSS  VDS=24V,VGS=0V 
‐ 
GateBody Leakage Current 
IGSS  VGS=±20V,VDS=0V 
‐ 
ON CHARACTERISTICS (Note 2) 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th)  VDS=VGS,ID=250μA 
1.4 
DrainSource OnState Resistance 
RDS(ON)  VGS=4.5V, ID=10A 
‐ 
VGS=10V, ID=15A 
‐ 
 
TJ=100°C 
‐ 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note4) 
Gate Resistance 
RG  VDS=0V,VGS=0V, F=1.0MHz 
‐ 
Input Capacitance 
Ciss  VDS=15V,VGS=0V, F=1.0MHz 
‐ 
Output Capacitance 
Coss 
‐ 
Reverse Transfer Capacitance 
Crss 
‐ 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3) 
Turnon Delay Time 
td(on) 
VDS=15V,  RL=15Ω,  VGEN=10V,RG=1Ω  ‐ 
Turnon Rise Time 
tr  ID=1A 
‐ 
TurnOff Delay Time 
td(off) 
‐ 
TurnOff Fall Time 
tf 
‐ 
Total Gate Charge 
Qg  VDS=15V,ID=15A,VGS=4.5V 
‐ 
GateSource Charge 
Qgs 
‐ 
GateDrain Charge 
Qgd 
‐ 
Body Diode Reverse Recovery Time 
Trr 
IF=5A, dI/dt=100A/μs 
‐ 
Body Diode Reverse Recovery Charge  Qrr 
‐ 
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS 
Diode Forward Voltage (Note 2) 
VSD  VGS=0V,IS=10A 
‐ 
NOTES: 
1. Pulse width limited by max. junction temperature. 
2. Pulse Test: Pulse Width    300μs, Duty Cycle    2%. 
3. Guaranteed by design, not subject to production testing 
  
Typ 
‐ 
‐ 
‐ 
1.7 
8.8 
6.45 
8.8 
1.6 
780 
510 
39 
11 
8 
19.6 
17 
5.8 
3 
1.5 
25 
11.8 
0.8 
Max 
‐ 
1 
±10 
2.5 
9.8 
7.0 
‐ 
2.5 
1100 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
1.1 
Unit 
V 
μA 
μA 
V 
mΩ 
mΩ 
mΩ 
Ω 
PF 
PF 
PF 
nS 
nS 
nS 
nS 
nC
nC 
nC 
nS 
nC 
V 
October  15,  2015                                                      Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
2 



Techcode TDM3508
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
Package Information 
TO252-2 Package
DATASHEET
TDM3508
October  15,  2015                                                      Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
3 







@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)