Mode MOSFET. TDM3607 Datasheet

TDM3607 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

TDM3607 Datasheet
Recommendation TDM3607 Datasheet
Part TDM3607
Description P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Feature TDM3607; T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3607  uses  advanced.
Manufacture Techcode
Datasheet
Download TDM3607 Datasheet




Techcode TDM3607
T  echcode®
 
 
 
P-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
DESCRIPTION 
The  TDM3607  uses  advanced  trench  technology  to 
provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This 
device is suitable for use as a load switch or in    PWM 
applications. 
GENERAL FEATURES 
60V/132A 
RDS(ON) < 7.2mΩ @ VGS=10V 
Reliable and Rugged 
Lead free product is available 
TO263 Package 
Application 
PWM applications 
Load switch 
Power management 
 
 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted) 
Parameter 
Symbol 
DrainSource Voltage 
VDS 
GateSource Voltage 
VGS 
Diode Continuous Forward Current 
Is 
Pulse Drain Current Tested 
IDP(TC=25) 
Continuous Drain Current 
ID (TC=25) 
ID (TC=100) 
Maximum Power Dissipation 
PD(TC=25) 
PD(TC=100) 
Thermal ResistanceJunction to Ambient 
RθJA 
Thermal ResistanceJunction to Case 
 
NOTES: 
RθJC 
1. Max continuous current is limited by bonding wire. 
 
DATASHEET
TDM3607
 
 
Rating 
60 
+25 
80 
264 
132 note1 
83 
250 
100 
50 
0.5 
Unit 
V 
V 
A 
A 
A 
A 
W 
W 
/W 
/W 
May  30,  2016                                                  Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
1 



Techcode TDM3607
T  echcode®
 
 
 
P-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted) 
DATASHEET
TDM3607
Parameter 
Symbol  Test Conditions 
STATIC CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
BVDSS 
VGS=0V ID=250μA 
Zero Gate Voltage Drain Current 
IDSS  VDS=48V,VGS=0V 
GateBody Leakage Current 
IGSS  VGS=±25V,VDS=0V 
ON CHARACTERISTICS (Note 2) 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th) 
VDS=VGS,ID=250μA 
DrainSource OnState Resistance 
RDS(ON) 
VGS=10V, IDS=20A 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note3) 
Input Capacitance 
Ciss  VDS=30V,VGS=0V, F=1.0MHz 
Output Capacitance 
Coss 
Reverse Transfer Capacitance 
Crss 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3) 
Turnon Delay Time 
Turnon Rise Time 
td(on) 
tr 
VDD=30V, RL=30 Ω, VGEN=10V, 
RG=6 Ω IDS=1A 
TurnOff Delay Time 
td(off) 
TurnOff Fall Time 
tf 
Total Gate Charge 
Qg  VDS=30V,IDS=20A,VGS=10V 
GateSource Charge 
Qgs 
GateDrain Charge 
Qgd 
Body Diode Reverse Recovery Time 
Trr 
IDS=20A, dI/dt=100A/μs 
Body Diode Reverse Recovery Charge  Qrr 
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS 
Diode Forward Voltage (Note 2) 
VSD  VGS=0V,ISD=1A 
NOTES: 
2.    Pulse Test: Pulse Width    300μs, Duty Cycle    2%. 
3.    Guaranteed by design, not subject to production testing 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Min  Typ  Max  Unit 
60   
  
  
 
1 
±100 
V 
μA 
nA 
1   
3 
  5.6  7.2 
V 
mΩ 
  6095   
  1080   
  430   
PF 
PF 
PF 
 
18  33 
nS 
 
20  36 
nS 
  200  360  nS 
  120  216  nS 
  136   
nC
  20   
nC 
  33   
nC 
  51   
nS 
  90   
nC 
  ‐0.7  ‐1  V 
May  30,  2016                                                  Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
2 



Techcode TDM3607
T  echcode®
 
 
 
P-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
Typical Operating Characteristics   
DATASHEET
TDM3607
 
 
May  30,  2016                                                  Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
3 







@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)