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TDM31210 Dataheets PDF



Part Number TDM31210
Manufacturers Techcode
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Description N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datasheet TDM31210 DatasheetTDM31210 Datasheet (PDF)

T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM31210  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 8.4mΩ @ VGS=10V   High Power and current handling capability   Lead free product is available   TO220 Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management   Hard Switched an.

  TDM31210   TDM31210



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T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM31210  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 8.4mΩ @ VGS=10V   High Power and current handling capability   Lead free product is available   TO220 Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management   Hard Switched and High Frequency Circuits  DATASHEET TDM31210   ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  VGS  Diode Continuous Forward Current  Drain Currents Forward Current  IS(TC=25℃)  ID(TC=25℃)  Drain Current @ Current‐Pulsed (Note 1)  IDM(TC=25℃)  Drain Current @ Conti.


TDM31035 TDM31210 TDM31518


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