Mode MOSFET. TDM31210 Datasheet

TDM31210 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

TDM31210 Datasheet
Recommendation TDM31210 Datasheet
Part TDM31210
Description N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Feature TDM31210; T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM31210  uses  advance.
Manufacture Techcode
Datasheet
Download TDM31210 Datasheet




Techcode TDM31210
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
DESCRIPTION 
The  TDM31210  uses  advanced  trench  technology  to 
provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This 
device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM 
applications. 
GENERAL FEATURES 
RDS(ON) < 8.4mΩ @ VGS=10V 
High Power and current handling capability 
Lead free product is available 
TO220 Package 
Application 
PWM applications 
Load switch 
Power management 
Hard Switched and High Frequency Circuits 
DATASHEET
TDM31210
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted) 
Parameter 
Symbol 
DrainSource Voltage 
VDS 
GateSource Voltage 
VGS 
Diode Continuous Forward Current 
Drain Currents Forward Current 
ISTC=25℃) 
IDTC=25℃) 
Drain Current @ CurrentPulsed (Note 1) 
IDMTC=25℃) 
Drain Current @ Continuous 
IDTA=25℃) 
IDTA=70℃) 
Maximum Power Dissipation   
PDTC=25℃) 
PDTC=100℃) 
Maximum Power Dissipation   
PD(TA=25) 
PD(TA=70) 
Avalanche Current, Single pulse(L=0.5mH) 
IAS 
Avalanche Energy, Single pulse(L=0.5mH) 
EAS 
Thermal Resistance,JunctiontoAmbient (Note 1) 
RθJA(Steady State) 
Thermal Resistance,JunctiontoCase 
RθJC 
Maximum Operating Junction Temperature 
TJ 
Storage Temperature Range 
 
TSTG 
Limit 
120 
+25 
80 
120 
400 
11 
9 
250 
100 
2 
1.25 
45 
500 
62.5 
0.5 
150 
55 To 150 
 
Unit 
V 
V 
A 
A 
A 
A 
A 
W 
W 
W 
W 
A 
mJ 
/W 
/W 
 
 
March  24,  2016                                                        Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
1 



Techcode TDM31210
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted) 
DATASHEET
TDM31210
Parameter 
Symbol  Condition 
Min 
OFF CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
GateBody Leakage Current 
BVDSS 
IDSS 
IGSS 
VGS=0V ID=250μA 
VDS=96V,VGS=0V 
VGS=±20V,VDS=0V 
120 
‐ 
‐ 
ON CHARACTERISTICS (Note 2) 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th)  VDS=VGS,ID=250μA 
2 
DrainSource OnState Resistance 
RDS(ON)  VGS=10V, ID=40A 
‐ 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note3) 
Gate Resistance 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
RG  VDS=0V,VGS=0V, F=1.0MHz 
Ciss  VDS=30V,VGS=0V, F=1.0MHz 
Coss 
‐ 
‐ 
‐ 
Reverse Transfer Capacitance 
Crss 
‐ 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3) 
Turnon Delay Time 
Turnon Rise Time 
td(on) 
tr 
VDS=30V,  RL=30Ω,  VGEN=10V,RG=6Ω  ‐ 
ID=1A 
‐ 
TurnOff Delay Time 
TurnOff Fall Time 
Total Gate Charge 
GateSource Charge 
td(off) 
tf 
Qg 
Qgs 
VDS=30V,ID=40A,VGS=10V 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
GateDrain Charge 
Qgd 
‐ 
Body Diode Reverse Recovery Time 
Trr 
IF=40A, dI/dt=100A/μs 
‐ 
Body Diode Reverse Recovery Charge  Qrr 
‐ 
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS 
Diode Forward Voltage (Note 2) 
VSD  VGS=0V,IS=20A 
NOTES: 
1. Pulse width limited by max. junction temperature. 
2. Pulse Test: Pulse Width    300μs, Duty Cycle    2%. 
3. Guaranteed by design, not subject to production testing 
‐ 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Typ  Max  Unit 
‐  ‐ 
V 
‐  1 
μA 
‐  ±100  nA 
3  4 
V 
7  8.4  mΩ 
1.0 
6150 
625 
120 
‐ 
8000 
‐ 
‐ 
Ω 
PF 
PF 
PF 
26  47 
10  18 
92  166 
55  99 
100  140 
29  ‐ 
19  ‐ 
56  ‐ 
140  ‐ 
nS 
nS 
nS 
nS 
nC
nC 
nC 
nS 
nC 
0.8  1.3  V 
March  24,  2016                                                        Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
2 



Techcode TDM31210
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
Typical Operating Characteristics   
DATASHEET
TDM31210
 
 
 
March  24,  2016                                                        Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
3 







@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)