TDM31530

T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM31530  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 70mΩ @ VGS=10V   High Power and current handling capability   Lead free product is available   SOP‐8 Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management   Hard Switched and High Frequency Circuits  DATASHEET TDM31530     ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  VGS  Drain Current @ Continuous  ID（TA=25℃）  ID（TA=70℃）  Drain Current @ Current‐Pulsed (Note 1)  IDM（TC=25℃）  Maximum Power Dissipation (TA=25℃)  PD  Maximum Ope...