Mode MOSFET. TDM32020 Datasheet

TDM32020 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

TDM32020 Datasheet
Recommendation TDM32020 Datasheet
Part TDM32020
Description N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Feature TDM32020; T  echcode®       N-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM32020  uses  advance.
Manufacture Techcode
Datasheet
Download TDM32020 Datasheet




Techcode TDM32020
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
DESCRIPTION 
The  TDM32020  uses  advanced  trench  technology  to 
provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This 
device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in  PWM 
applications. 
GENERAL FEATURES 
RDS(ON) < 70mΩ @ VGS=10V 
High Power and current handling capability 
Lead free product is available 
Surface Mount Package 
Application 
PWM applications 
Load switch 
Power management 
DATASHEET
TDM32020
 
 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted) 
Parameter 
Symbol 
DrainSource Voltage 
VDS 
GateSource Voltage 
VGS 
Drain Current @ Continuous(Note 1) 
IDTC=25℃) 
IDTC=100℃) 
Drain Current @ CurrentPulsed (Note 2) 
IDMTC=25℃) 
Drain Current @ Continuous(Note 1) 
IDTA=25℃) 
IDTA=70℃) 
Maximum Power Dissipation (TA=25) 
PD 
Maximum Operating Junction Temperature 
TJ 
Storage Temperature Range 
TSTG 
THERMAL CHARACTERISTICS 
Thermal Resistance,JunctiontoAmbient (Note 2) 
 
RθJA 
 
Limit 
200 
+25 
23 
14 
48 
5.3 
4.3 
5 
150 
55 To 150 
50 
Unit 
V 
V 
A 
A 
A 
A 
A 
W 
 
 
/W 
 
April  5,  2016                                                        Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
1 



Techcode TDM32020
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted) 
DATASHEET
TDM32020
Parameter 
Symbol  Condition 
OFF CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
BVDSS  VGS=0V ID=250μA 
Zero Gate Voltage Drain Current 
IDSS  VDS=160V,VGS=0V 
GateBody Leakage Current 
IGSS  VGS=±25V,VDS=0V 
ON CHARACTERISTICS (Note 3) 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th)  VDS=VGS,ID=250μA 
DrainSource OnState Resistance 
RDS(ON)  VGS=10V, ID=11A 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note4) 
Input Capacitance 
Ciss  VDS=30V,VGS=0V, F=1.0MHz 
Output Capacitance 
Coss 
Reverse Transfer Capacitance 
Crss 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4) 
Turnon Delay Time 
td(on) 
VDS=30V, RL=30Ω, VGEN=10V, 
Turnon Rise Time 
tr  RG=6Ω ID=1A 
TurnOff Delay Time 
td(off) 
TurnOff Fall Time 
tf 
Total Gate Charge 
Qg  VDS=100V,ID=11A,VGS=10V 
GateSource Charge 
Qgs 
GateDrain Charge 
Qgd 
Body Diode Reverse Recovery Time 
Trr 
IF=10A, dI/dt=100A/μs 
Body Diode Reverse Recovery Charge  Qrr 
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS 
Diode Forward Voltage (Note 3) 
VSD  VGS=0V,IS=20A 
NOTES: 
1. continue current is limited by bonding wire. 
2. Pulse width limited by max. junction temperature. 
3. Pulse Test: Pulse Width    300μs, Duty Cycle    2%. 
4. Guaranteed by design, not subject to production testing 
 
 
 
 
 
Min  Typ  Max  Unit 
200   
  
  
 
1 
±100 
V 
μA 
nA 
2  3  4 
V 
 
58  70 
mΩ 
  2350  3100  PF 
  155   
PF 
  45   
PF 
 
23  42 
nS 
  6  11  nS 
 
51  92 
nS 
 
30  54 
nS 
 
40  56 
nC
  14   
nC 
  10   
nC 
  75   
nS 
  255   
nC 
  0.8  1.3  V 
April  5,  2016                                                        Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
2 



Techcode TDM32020
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
Typical Operating Characteristics   
DATASHEET
TDM32020
 
 
April  5,  2016                                                        Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
3 







@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)