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power amplifier. HT82V7524 Datasheet

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power amplifier. HT82V7524 Datasheet






HT82V7524 amplifier. Datasheet pdf. Equivalent




HT82V7524 amplifier. Datasheet pdf. Equivalent





Part

HT82V7524

Description

3W mono without filtering Class D audio power amplifier



Feature


.
Manufacture

Holtek Semiconductor

Datasheet
Download HT82V7524 Datasheet


Holtek Semiconductor HT82V7524

HT82V7524; .


Holtek Semiconductor HT82V7524

.


Holtek Semiconductor HT82V7524

.

Part

HT82V7524

Description

3W mono without filtering Class D audio power amplifier



Feature


.
Manufacture

Holtek Semiconductor

Datasheet
Download HT82V7524 Datasheet




 HT82V7524
HT82V7524
3W 单声道无滤波
D 类音频功率放大器
特性
1.8V~6V 单电源
输出功率:
3W @ 5V4Ω 负载
5.1W @ 6V3Ω 负载
功率效能高达 90%
自动输出功率控制 – APC
5V 时,3.3mA 静态电流
关机电流小于 0.2μA
系统上电和掉电时,POP噪音消除
关机功能
带有自动恢复的输出引脚短路保护功能
带有自动恢复的过温保护和过流保护功能
内建硬限幅器功能
限幅器时间和增益动态控制
差分 250 kHz PWM 允许 Bridge-Tied-Load
增加输出功率和消除 LC 输出滤波器
差分信号处理用于改进的 CMRR 共模
抑制比
应用
手持式音频产品
电池供电音频产品
MP3 播放器
蓝牙扬声器
笔记本 / 平板电脑
智能手机
概述
HT82V7524 是一款无滤波单声道 D 类音频
功率放大器 IC,当工作电压为 5V,负载
4Ω,该芯片可输送 3W;当工作电压为
6V,负载为 3Ω,该芯片可输送 5.1W。使
D 类放大器的优点是它们可以提供比传
统的线性放大器更优异的效能。这种优势
使其发热少,从而消除了热沉,使其更适
于在小封装产品中使用。
该芯片另一个特性是工作电压范围可从
1.8V 6V。其它功能包括自动功率级控
制,在不同的电压下,输出功率保持恒定。
在系统上电和掉电时,具有 "POP" 噪音消
除功能。该芯片包含一系列的保护特性,
包括输出短路保护、过流 / 过热关机和自
动恢复功能,一旦电源问题解决,芯片将
恢复到正常运行状态。
Holtek D 类音频放大器的优越效能外加它
的宽范围工作电压,直接驱动扬声器的能
力使得该芯片广泛的使用在以电池寿命作
为重要考虑因素的小型便携式电池供电设
备中。
Rev. 1.00
1 2016-01-07




 HT82V7524
方框图
20k
INN
CTRL
20k
HT82V7524
+-
-+
Control
Circuitry
Oscillator
PWM
Power
Drive
OUTP
OUTN
CAP
VDD
VSS
引脚图
CTRL
CAP
INN
INP
18
297
3 GND 6
45
HT82V7524
8 SOP-A
OUTN
VSS
VDD
OUTP
引脚说明
引脚编号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
引脚名称
CTRL
CAP
INN
INP
OUTP
VDD
VSS
OUTN
GND
类型
AI
AO
AI
AI
AO
PWR
PWR
AO
PWR
描述
暂停和 LIM 开启 / 关闭控制
用于限幅器工作的电容
负端输入
正端输入
正端输出
电源电压
负端输出
外露地脚
注:AO:模拟输出; AI:模拟输入; PWR:电源引脚
Rev. 1.00
2 2016-01-07




 HT82V7524
HT82V7524
极限参数
电源供应电压 ...............................................................................................VSS-0.3V ~ VSS+6.5V
输入电压 ...................................................................................................... VSS-0.3V ~ VDD+0.3V
工作温度 ................................................................................................................... -40~ 85
储存温度 ................................................................................................................. -50~ 125
注:这里只强调额定功率,超过极限参数所规定的范围将对芯片造成损害,无法预期芯片
在上述标示范围外的工作状态,而且若长期在标示范围外的条件下工作,可能影响芯
片的可靠性。
直流电气特性
符号
VDD
参数
电源电压
VDD=2.5V~5.5VTA=25°C( 除非另有说明 )
测试条件
VDD 条件
——
最小 典型 最大 单位
1.8 6.0 V
5V 3.3 4 mA
IQ 静态电流
3.6V 无负载
2V
2.3 2.8 mA
1.5 1.8 mA
ISTB
VOS
RDSON
待机电流
差分输出偏置电压
静态漏源导通电阻
VCTRL< 0.3V
0.2 0.5 μA
所有输入都是交流接地,
AV=24
±25
mV
5V RL=8Ω
400
RIN INN/INP 输入电阻 INN/INP 接地
20
AV BTL 增益
RL=8Ω
Vo+ 短接到 VDD
24 V/V
3
Vo- 短接到 VDD
3
Ioc 过流保护阈值
5V Vo+ 短接到 GND
1.5 A
Vo- 短接到 GND
1.5
Vo+ 短接到 Vo-
1.8
TAR
Iq(oc)
过流检测时间 ( 从检测到
过流到重试的时间 )
过流保护下的电源电流
5V
Vo+/Vo- 短接到 VDD/
GNDVo+ 短接到 Vo-
20 ms
2 mA
TA 工作温度
— — -40 85 °C
Rev. 1.00
3 2016-01-07



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