Document
BC337 / BC338
BC337 / BC338
NPN
General Purpose Si-Epitaxial Planar Transistors Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2006-05-30
Power dissipation Verlustleistung
CBE
Plastic case Kunststoffgehäuse
16 9 18
Weight approx. – Gewicht ca.
2 x 2.54 Dimensions - Maße [mm]
Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
NPN
625 mW TO-92 (10D3) 0.18 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom (dc) Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom Base current – Basisstrom Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur
E-B short B open C open
VCES VCEO VEBO Ptot IC ICM IB Tj TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
BC337
BC338
50 V
30 V
45 V
25 V
5V
625 mW 1)
800 mA
1A
100 mA
-55...+150°C -55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 2)
VCE = 1 V, IC = 100 mA
Group -16 Group -25 Group -40
hFE hFE hFE
VCE = 1 V, IC = 300 mA
Group -16 Group -25 Group -40
hFE hFE hFE
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 2)
IC = 500 mA, IB = 50 mA
VCEsat
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
100 160 250 160 250 400 250 400 630
60 130 100 200 170 320
– – –
– – 0.7 V
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
Characteristics (Tj = 25°C)
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 2)
VCE = 1 V, IC = 300 mA,
Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 45 V, (B-E short) VCE = 25 V, (B-E short)
BC337 BC338
VCE = 45 V, Tj = 125°C, (B-E short) VCE = 25 V, Tj = 125°C, (B-E short)
BC337 BC338
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 50 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
Available current gain groups per type Lieferbare Stromverstärkungsgruppen pro Typ
VBE
ICES ICES ICES ICES
fT
CCBO RthA
BC337 / BC338
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
– – 1.2 V
–
2 nA
100 nA
–
2 nA
100 nA
– – 10 µA – – 10 µA
– 100 MHz –
– 12 pF – < 200 K/W 1)
BC327 / BC328
BC337-16 BC337-25 BC337-40
BC338-16 BC338-25 BC338-40
120 [%] 100
80
60
40
20 Ptot
0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1)
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
.