Effect Transistor. HFF5N50 Datasheet

HFF5N50 Transistor. Datasheet pdf. Equivalent


Part HFF5N50
Description N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Feature N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor HFF5N50 FQPF5N50 █ 。 █ (Ta=25℃) Tstg——………….
Manufacture HUASHAN ELECTRONIC
Datasheet
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor HFF5N5 HFF5N50 Datasheet
Recommendation Recommendation Datasheet HFF5N50 Datasheet




HFF5N50
汕头华汕电子器件有限公司
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
HFF5N50
对应国外型号
FQPF5N50
█ 主要用途
高速开关应用。
█ 极限值Ta=25℃)
Tstg——贮存温度………………………………………… -55~150
Tj——结温……………………………………………………… 150
VDSS——漏极—源极电压………………………………………500V
VGS——栅极—源极电压……………………………………… ±30V
ID——漏极电流(Tc=25℃)……………………………………5.0A
IDM——漏极电流(脉冲)(注 1)………………………………20A
PD——耗散功率(Tc=25℃)………………………………………38W
█ 外形图及引脚排列
TO-220F
1
1―栅 极 G
2―漏 极 D
3―源 极 S
█ 电参数Ta=25℃)
参数符号
符号说明
最小值
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS(th)
RDS(on)
Ciss
漏—源极击穿电压
零栅压漏极电流
栅极泄漏电流
栅—源极开启电压
漏—源极导通电阻
输入电容
500
2.0
Coss
Crss
td(on)
tr
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
td(off) 断开延迟时间
tf 下降时间
Qg 栅极总电荷
Qgs 栅极—源极电荷
Qgd 栅极—漏极电荷
Is 源极—漏极二极管正向电流
VSD 源极—漏极二极管导通电压
Rthj-c) 热阻
*1:漏极电流受最大结温限制。
*2:脉冲测试,宽度≤300μS,占空比≤2%s
典型值
1.2
640
86
11.5
12
46
50
48
15.5
2.9
6.4
最大值
1
±100
4.0
1.5
830
111
15
35
100
110
105
20
5.0
1.4
3.31
单位
V
μA
nA
V
pF
pF
pF
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
A
V
/W
测试条件
ID=250μA ,VGS=0V
VDS =650VVGS=0
VGS=±30V , VDS =0V
VDS = VGS , ID =250μA
VGS=10V, ID =2.5A
VDS =25V, VGS=0,f=1MHz
VDs =250V,
ID =5.0A (峰值)
RG= 25
(注 2
VDS =400V
VGS=10V
ID=5.0A(注 2
IS =5.0A , VGS=0
结到外壳



HFF5N50
汕头华汕电子器件有限公司
典型特性曲线
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
HFF5N50
对应国外型号
FQPF5N50







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