FS100R12KT4G_B11

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS100R12KT4G_B11 EconoPACK™3ModulPressFITmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EconoPACK™3modulePressFITwithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter VorläufigeDaten PreliminaryData HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 95°C, Tvj max = 175°C IC nom  100  A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  200  A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot  515  W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 100 A, VGE = 1...