power transistor. 13005DL Datasheet

13005DL Datasheet PDF, Equivalent


Part Number

13005DL

Description

NPN power transistor

Manufacture

Jingdao

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13005DL Datasheet
深圳市晶导电子有限公司
Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
13005DL NPN 功率三极管
* 主要用途 :
电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。
* 主要特点:
硅三重扩散平面工艺、输出特性好、电流容量大。
内部集成二极管。
TEL0755-29799516
FAX0755-29799515
Http://www.jdsemi.cn
极限值:( Tc=25 )
参 数 名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高结温
贮存温度
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
Icm
Pcm
Tjm
Tstg
B 基极 C 集电极 E 发射极
额定值
200
400
9
5
30
150
55 150
单位
V
V
V
A
W
电特性: ( Tc=25 )
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极反向漏电流
集电极-基极反向漏电流
发射极-基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
集电极-发射极饱和压降
下降时间
特征频率
符号
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICEO
ICBO
IEBO
HFE
VCE (sat)
tf
fT
测试条件
IC=1mA
IC=1mA
IE=1mA
VCE=180V
VCB=380V
VEB=7V
VCE=5V
IB=0
IE=0
IC=0
IB=0
IE=0
IC=0
IC=1A
VCE=5V
IC=1mA
IC=2A
IB=1A
IC=2AIB1=IB2=0.4AVCE=150V
VCE=10VIC=0.1Af =1MHz
规范值
最小值 最大值
200
400
9
20
10
10
15 35
单位
V
V
V
uA
uA
uA
8
0.6 V
0.5 uS
5 MHz
Jingdao Electronic Corporation V01
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13005DL Datasheet
深圳市晶导电子有限公司
Shenzhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
TEL0755-29799516
FAX0755-29799515
Http://www.jdsemi.cn
静态输出特性
1
50mA
0.8
40mA
0.6 30mA
0.4 20mA
10mA
0.2
Ib=0
0 2 4 6 8 10
VceV)集电极-发射极电压
Vcesat)集电极 - 发射极饱和压降- Ic 集电极电流
3
2
Ic=2Ib
1
0.1
0 0.1 1 2 3 4
IcA)集电极电流
SOADC)安全工作区
10
1
HFE 直流电流增益- Ic 集电极电流
50
40
30 Vce=5V
20
10
1
0.01
0.1 1 2 4
IcA)集电极电流
Pc 耗散功率- Tj 结温
50
40
30
20
10
0 40 80 120 160 200
Tj(℃)结温
0.1
0.01
1
10 100
VceV)集电极-发射极电压
1000
13005DL
Jingdao Electronic Corporation V01
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Features Datasheet pdf .
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