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Part Number AG6B
Manufacturers Diotec Semiconductor
Logo Diotec Semiconductor
Description Silicon Rectifier Cells with polysiloxan passivation
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AG 6A … AG6M Silicon Rectifier Cells with polysiloxan passivation Silizium-Gleichrichterzellen mit Polysiloxan-Passivierung Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Weight approx. – Gewicht ca. Dimensions / Maße in mm 6A 50…1000 V 0.3 g Standard packaging bulk Standard Lieferform lose Maximum ratings and Characteristics Type Typ AG 6A AG 6B AG 6D AG 6G AG 6J AG 6K AG 6M Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [.

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AG 6A … AG6M Silicon Rectifier Cells with polysiloxan passivation Silizium-Gleichrichterzellen mit Polysiloxan-Passivierung Nominal current – Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Weight approx. – Gewicht ca. Dimensions / Maße in mm 6A 50…1000 V 0.3 g Standard packaging bulk Standard Lieferform lose Maximum ratings and Characteristics Type Typ AG 6A AG 6B AG 6D AG 6G AG 6J AG 6K AG 6M Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 TT = 100/C f > 15 Hz TA = 25/C TA = 25/C Kenn- und Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 80 130 250 450 700 1000 1300 6 A 1) 40 A 1) 400 A 800 A2s – 50...+150/C – 50...+150/C < 0.95 V < 10 :A Max. forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Forward voltage Durchlaßspannung Leakage current – Sperrstrom Tj = 25/C Tj = 25/C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS IF = 6 A VR = VRRM VF IR ) Max. temperature of the terminals TT = 100/C – Max. Temperatur der Kontaktflächen TT = 100/C 28.02.2002 1 399 .


AG6A AG6B AG6D


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