2N7002 N−Ch, Enhancement Mode
Field Effect Transistor SOT−23 Type Package
D
Features: D High Density Cell Design for L...
2N7002 N−Ch, Enhancement Mode
Field Effect
Transistor SOT−23 Type Package
D
Features: D High Density Cell Design for Low RDS(ON) D Voltage Controlled Small Signal Switch D Rugged and Reliable D High Saturation Current Capability
G S
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C unless otherwise specified)
Drain−Source Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Drain−Gate Voltage (RGS 1M), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Gate−Source Voltage, Continuous . . .
.V.G. S.
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20V
Non−Repetitive (tp 50s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Maximum Drain Current, Continuous . . . . .
.ID. .
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115mA
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA
Maximum Power Dissipation, Derate above 25C . .
.P.D.
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