IGBT-Module
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
IFS75B12N3E4_B31
MIPAQ™baseModulmitTrench/...
Description
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
IFS75B12N3E4_B31
MIPAQ™baseModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,EmitterControlled4DiodeundStrommesswiderstand MIPAQ™basemodulewithtrench/fieldstopIGBT4,emittercontrolled4diodeandcurrentsenseshunt
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter VorläufigeDaten/PreliminaryData
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 95°C, Tvj = 175°C
IC nom
75
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
150
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj = 175°C
Ptot
385
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V A A W V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 2,40 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emi...
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