TDM3426B MOSFET Datasheet

TDM3426B Datasheet, PDF, Equivalent


Part Number

TDM3426B

Description

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Manufacture

Techcode

Total Page 8 Pages
Datasheet
Download TDM3426B Datasheet


TDM3426B
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
DESCRIPTION 
The  TDM3426B  uses  advanced  trench  technology  to 
provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This 
device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM 
applications. 
GENERAL FEATURES 
RDS(ON) < 16mΩ @ VGS=4.5V   
RDS(ON) < 10mΩ @ VGS=10V 
High Power and current handling capability 
Lead free product is available 
Surface Mount Package 
Application 
PWM applications 
Load switch 
Power management 
 
DATASHEET
TDM3426B
 
 
 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted) 
Parameter 
Symbol 
DrainSource Voltage 
VDS 
GateSource Voltage 
VGS 
Diode Continuous Forward Current 
Is(TC=25) 
Continuous Drain Current (Note 1) 
IDTC=25℃) 
Pulse Drain Current Tested 
IDMTA=25℃) 
Maximum Power Dissipation 
PD(TC=25) 
Maximum Power Dissipation 
PDTA=25℃) 
PDTA=70℃) 
Thermal Resistance,JunctiontoAmbient(t<10s) 
RθJA 
Maximum Operating Junction Temperature 
TJ 
Storage Temperature Range 
 
NOTES: 
TSTG 
1. Max continuous current is limited by bonding wire. 
 
Limit 
30 
+20 
5 
18 
36 
20 
3.5 
2.2 
35 
150 
55 To 150 
Unit 
V 
V 
A 
A 
A 
W 
W 
W 
/W 
 
 
May  24,  2016                                                            Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
1 

TDM3426B
T  echcode®
 
 
 
N-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted) 
DATASHEET
TDM3426B
Parameter 
Symbol  Condition 
OFF CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
BVDSS 
VGS=0V ID=250μA 
Zero Gate Voltage Drain Current 
IDSS  VDS=24V,VGS=0V 
GateBody Leakage Current 
IGSS  VGS=±20V,VDS=0V 
ON CHARACTERISTICS (Note 2) 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th) 
VDS=VGS,ID=250μA 
DrainSource OnState Resistance 
RDS(ON) 
VGS=10V, ID=10A 
VGS=4.5V, ID=8A 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note3) 
Input Capacitance 
Ciss  VDS=15V,VGS=0V, F=1.0MHz 
Output Capacitance 
Coss 
Reverse Transfer Capacitance 
Crss 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3) 
Turnon Delay Time 
td(on) 
VDS=15V, RL=15 Ω, VGEN=10V, 
Turnon Rise Time 
tr  RG=6 Ω ID=1A 
TurnOff Delay Time 
td(off) 
TurnOff Fall Time 
tf 
Total Gate Charge 
Qg  VDS=15V,ID=10A,VGS=10V 
GateSource Charge 
Qgs 
GateDrain Charge 
Qgd 
Body Diode Reverse Recovery Time 
Trr 
IDS=10A, dI/dt=100A/μs 
Body Diode Reverse Recovery Charge  Qrr 
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS 
Diode Forward Voltage (Note 2) 
VSD  VGS=0V,IS=5A 
NOTES: 
2.    Pulse Test: Pulse Width    300μs, Duty Cycle    2%. 
3.    Guaranteed by design, not subject to production testing 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Min  Typ  Max  Unit 
30  ‐ 
‐  ‐ 
‐  ‐ 
‐ 
1 
±10 
V 
μA 
μA 
1.4  1.8  2.5 
‐  8.2  10 
‐  12.3  16 
V 
mΩ 
mΩ 
‐  450  600  PF 
‐  318  ‐ 
PF 
‐  22  ‐ 
PF 
‐  8.5  16  nS 
‐  10  18  nS 
‐  14  26  nS 
‐  10.6  19  nS 
‐  8  12  nC
‐  1.6  ‐ 
nC 
‐  1.2  ‐ 
nC 
‐  20.5  ‐ 
nS 
‐  7.2  ‐ 
nC 
‐  0.8  1.1  V 
May  24,  2016                                                            Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
2 


Features T  echcode®       N-Channel Enh ancement Mode MOSFET DESCRIPTION  T he  TDM3426B  uses  advanced  trenc h  technology  to  provide  excelle nt  RDS(ON)  and  low  gate  charg e.  This  device  is  suitable  fo r  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 16mΩ @  VGS=4.5V    RDS(ON) < 10mΩ @ VG S=10V   High Power and current  handling capability   Lead free  product is available   Surface M ount Package  Application   PWM  applications   Load switch   P ower management    DATASHEET TDM34 26B         ABSOLUTE MAXIMUM R ATINGS(TA=25℃unless otherwise noted )  Parameter  Symbol  Drain‐Sou rce Voltage  VDS  Gate‐Source V oltage  VGS  Diode Continuous For ward Current  Is(TC=25℃)  Contin uous Drain Current (Note 1)  ID TC=25℃)  Pulse Drain Current  Tested  IDM(TA=25℃)  Maximum Power Dissipation  PD(TC=25℃)  Maximum Power Dissipation  PD(TA=25℃)  PD(TA=70℃)  Thermal Resistance,Junction‐to‐Ambient(t<10s)  RθJA  Maximum Operating Juncti.
Keywords TDM3426B, datasheet, pdf, Techcode, N-Channel, Enhancement, Mode, MOSFET, DM3426B, M3426B, 3426B, TDM3426, TDM342, TDM34, Equivalent, stock, pinout, distributor, price, schematic, inventory, databook, Electronic, Components, Parameters, parts, cross reference, chip, Semiconductor, circuit, Electric, manual, substitute




@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)