TDM3421 MOSFET Datasheet

TDM3421 Datasheet, PDF, Equivalent


Part Number

TDM3421

Description

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Manufacture

Techcode

Total Page 7 Pages
Datasheet
Download TDM3421 Datasheet


TDM3421
T  echcode®
 
 
 
P-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
DESCRIPTION 
The  TDM3421  uses  advanced  trench 
technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and 
low gate charge. This device is suitable for use 
as a load switch or in PWM applications. 
GENERAL FEATURES 
RDS(ON) < 32mΩ @ VGS=4.5V 
RDS(ON) < 19mΩ @ VGS=10V 
Reliable and Rugged 
ESD protection pass 2KV 
Lead free product is available 
PPAK3*38 Package 
Application 
PWM applications 
Load switch 
Power management 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted) 
Parameter 
DrainSource Voltage 
GateSource Voltage 
Diode Continuous Forward Current 
Pulsed Drain Current 
Continuous Drain Current 
Maximum Power Dissipation 
Continuous Drain Current 
Maximum Power Dissipation (note1) 
Maximum Junction Temperature 
Storage Temperature Range 
Thermal ResistanceJunction to Ambient (note1) 
 
Symbol 
VDS 
VGS 
IS(TC=25) 
IDM (TC=25) 
ID (TC=25) 
ID (TC=100) 
PD(TC=25) 
PD(TC=100) 
ID (TA=25) 
ID (TA=70) 
PD(TA=25) 
PD(TA=70) 
TJ 
TSTG 
RθJA(t10s) 
RθJA(Steady State) 
DATASHEET
TDM3421
 
PPAK-3*3-8 
 
Rating 
30 
+25 
16 
70 
32 
20 
29.8 
11.9 
10.5 
8.4 
3.1 
2 
150 
55 to 150 
40 
75 
Unit 
V 
V 
A 
A 
A 
A 
W 
W 
A 
A 
W 
W 
 
 
/W 
/W 
February  28,  2017                                              Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
1 

TDM3421
T  echcode®
 
 
 
P-Channel
Enhancement
Mode
MOSFET
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted) 
DATASHEET
TDM3421
Parameter 
Symbol  Test Conditions 
Min  Typ  Max  Unit 
STATIC CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
GateBody Leakage Current 
BVDSS 
IDSS 
IGSS 
VGS=0V, ID=250μA 
VDS=24, VGS=0V 
VGS=±25V, VDS=0V 
30  ‐ 
‐  ‐ 
‐  ‐ 
‐ 
1 
±10 
V 
μA 
μA 
ON CHARACTERISTICS (Note 3) 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th) 
VDS=VGS,ID=250μA 
1.3  ‐1.8  ‐2.3  V 
DrainSource OnState Resistance 
RDS(ON) 
VGS=4.5V,IDS=8.2A 
VGS=10V, IDS=10.5A 
‐  25  32  mΩ 
‐  16  19  mΩ 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note4) 
Gate Resistance 
Input Capacitance 
Rg 
Ciss 
VGS=0V, VDS=0V,F=1MHz 
VDS=15V,VGS=0V, F=1.0MHz 
‐  4  ‐ 
‐  999  ‐ 
Ω 
PF 
Output Capacitance 
Coss 
‐  220  ‐ 
PF 
Reverse Transfer Capacitance 
Crss 
‐  170  ‐ 
PF 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4) 
Turnon Delay Time 
Turnon Rise Time 
TurnOff Delay Time 
TurnOff Fall Time 
Total Gate Charge 
GateSource Charge 
GateDrain Charge 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
Qg 
Qgs 
Qgd 
VDD=15V, RL=15Ω, VGEN=10V, 
RG=6Ω IDS=1A 
VDS=15V,IDS=10.5A,VGS=10V 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
‐ 
11.2 
10.6 
37 
50 
20 
1.1 
7.7 
 
 
 
 
 
‐ 
‐ 
nS 
nS 
nS 
nS 
nC
nC 
nC 
Body Diode Reverse Recovery Time 
Trr 
IDS=10.5A, dI/dt=100A/μs 
‐  18  ‐ 
nS 
Body Diode Reverse Recovery Charge  Qrr 
‐  9  ‐ 
nC 
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS 
Diode Forward Voltage (Note 3) 
VSD  VGS=0V,ISD=1A 
‐  ‐0.7  ‐1  V 
NOTES: 
1. Surface Mounted on 1in2 pad area, t≤ 10sec. RθJA steady state t = 999s.   
2. The power dissipation PD is based on TJ(MAX) = 150oC, and it is useful for reducing junctiontocase thermal resistance (RθJC) 
when additional heat sink is used. 
3    Pulse Test: Pulse Width    300μs, Duty Cycle    2%. 
4    Guaranteed by design, not subject to production testing 
 
 
 
 
 
 
February  28,  2017                                              Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com 
2 


Features T  echcode®       P-Channel Enh ancement Mode MOSFET DESCRIPTION  T he  TDM3421  uses  advanced  trench   technology  to  provide  excellen t  RDS(ON)  and  low gate charge. This device is suitable for use  as a load switch or in PWM appl ications.  GENERAL FEATURES   RDS (ON) < 32mΩ @ VGS=‐4.5V  RDS(O N) < 19mΩ @ VGS=‐10V   Reli able and Rugged   ESD protection  pass 2KV   Lead free product  is available   PPAK‐3*3‐8 Pac kage  Application   PWM applicati ons   Load switch   Power man agement    ABSOLUTE MAXIMUM RATIN GS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Diode Continu ous Forward Current  Pulsed Drain  Current  Continuous Drain Current  Maximum Power Dissipation  Continuou s Drain Current  Maximum Power Dis sipation (note1)  Maximum Junction  Temperature  Storage Temperature Range  Thermal Resistance‐Junction to Ambient (note1)    Symbol  VDS  VGS  IS(TC=25℃)  IDM (TC=25℃)  ID (TC=25℃)  ID (TC=100℃)  PD(TC=25℃)  PD(TC=100℃)  ID (TA=25℃.
Keywords TDM3421, datasheet, pdf, Techcode, P-Channel, Enhancement, Mode, MOSFET, DM3421, M3421, 3421, TDM342, TDM34, TDM3, Equivalent, stock, pinout, distributor, price, schematic, inventory, databook, Electronic, Components, Parameters, parts, cross reference, chip, Semiconductor, circuit, Electric, manual, substitute




@ 2014 :: Datasheetspdf.com :: Semiconductors datasheet search & download site (Privacy Policy & Contact)