TDM3421

T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode MOSFET DESCRIPTION  The  TDM3421  uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low gate charge. This device is suitable for use  as a load switch or in PWM applications.  GENERAL FEATURES   RDS(ON) < 32mΩ @ VGS=‐4.5V  RDS(ON) < 19mΩ @ VGS=‐10V   Reliable and Rugged   ESD protection pass 2KV   Lead free product is available   PPAK‐3*3‐8 Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management    ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Drain‐Source Voltage  Gate‐Source Voltage  Diode Continuous Forward Current  Pulsed Drain Current  Continuous Drain Current  Maximum Power Dissipation  Continuous Drain Current  Maximum Power Dissipation (note1)  Maximum Junction Temperature  Storage Temperature Range  Thermal Resistance‐Junction to Ambient (note1)    Symbol  VDS  VGS  IS(TC=25℃)  IDM (TC=25℃)  ID (TC=25℃)  ID (TC=100℃)  PD(TC=25℃)  PD(TC=100℃)  ID (TA=25℃)  ID (TA=70℃)  PD(TA=25℃)  PD(TA=70℃)  TJ  TSTG  RθJA(t≤10s)  RθJA(Steady State)  DATASHEET TDM3421   PPAK-3*3-8    Rating  ‐30  +25  ‐16  ‐70  ‐32  ‐20  29.8  11.9  ‐10.5  ‐8.4  3.1  2  150  ‐55 to 150  40  75  Unit  V  V  A  A  A  A  W  W  A  A  W  W  ℃  ℃  ℃/W  ℃/W  February  28,  2017                                              Techcode  Semiconductor  Limited                                                  www.techcodesemi.com  1  T  echcode®       P-Channel Enhancement Mode...