NTE2939

NTE2939 MOSFET N−Ch, Enhancement Mode High Speed Switch TO−220 Full Pack Type Package D Features: D Low Drain−Source ON Resistance: RDS(ON) = 0.33 Typ. D High Forward Transfer Admittance: |Yfs| = 6.5 S Typ. D Low Leakage Current: IDSS = 10A Max. (VDS = 600V) D Enhancement−Mode: Vth = 2.0V to 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA) G S Absolute Maximum Ratings: (TA = +25C, Note 1 unless otherwise specified) Drain−Source Voltage, VDSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V Gate−Source Voltage, VGSS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30 Drain Current (Note DC . . . . . . . . 2), ... I.D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13A Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52A Drain Power Dissipation (TC = +25C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W Single Pulse Avalanche Energy (Note 3), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 511mJ Avalanche Current, IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13A...