N-Channel MOSFET. 4515 Datasheet

4515 MOSFET. Datasheet pdf. Equivalent

4515 Datasheet
Recommendation 4515 Datasheet
Part 4515
Description N-Channel MOSFET
Feature 4515; N   -channel Enhancement Mode MOSFET     DESCRIPTION    The   uses  advanced  trench  technology  t.
Manufacture CXW
Datasheet
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CXW 4515
N   -channel Enhancement Mode MOSFET
 
 
DESCRIPTION 
  The   uses  advanced  trench  technology  to 
provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This 
device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM 
applications. 
 
 
GENERAL FEATURES 
RDS(ON) <  Ω @ VGS=4.5V   
RDS(ON) <  Ω @ VGS=10V 
High Power and current handing capability 
Lead free product is acquired 
Surface Mount Package 
Application 
PWM applications 
Load switch 
Power management 
 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted) 
Parameter 
Symbol 
DrainSource Voltage 
VDS 
GateSource Voltage 
Drain Current @ Continuous(Note 2) 
VGS 
ID25℃) 
ID100℃) 
Drain Current @ CurrentPulsed (Note 1) 
Maximum Power Dissipation (TA=25) 
IDM 
PD 
Operating Junction and Storage Temperature Range 
TJ,TSTG 
THERMAL CHARACTERISTICS 
Thermal Resistance,JunctiontoAmbient (Note 2) 
RθJA 
 
 
 
 
  
4515 DATASHEET
3424
 
S1
S2
S3
G4
  8D
7D
6D
5D
Marking and pin assignment
Limit 
45 
+20 
 
 
 
 
55 To 150 
35 
Unit 
V 
V 
A 
A 
A 
W 
 
/W 
                            
1 
                         



CXW 4515
 
 
N-channel
Enhancement
Mode
MOSFET
 
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted) 
4515
DATASHEET
3424
Parameter 
Symbol  Condition 
Min  Typ  Max 
OFF CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
BVDSS  VGS=0V ID=250μA 
45   
 
Zero Gate Voltage Drain Current 
IDSS  VDS=24V,VGS=0V 
    1 
GateBody Leakage Current 
IGSS  VGS=±20V,VDS=0V 
    ±100 
ON CHARACTERISTICS (Note 3) 
Gate Threshold Voltage 
VGS(th)  VDS=VGS,ID=250μA 
   
DrainSource OnState Resistance 
RDS(ON)  VGS=4.5V, ID=15A 
 
VGS=10V, ID=15A 
 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note4) 
Input Capacitance 
Ciss  VDS=15V,VGS=0V, F=1.0MHz 
 
Output Capacitance 
Coss 
Reverse Transfer Capacitance 
Crss 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4) 
Turnon Delay Time 
td(on) 
VDS=15V, VGS=10V,RGEN Ω 
 
  
Turnon Rise Time 
tr 
    
TurnOff Delay Time 
td(off) 
    
TurnOff Fall Time 
tf 
    
Total Gate Charge 
Qg  VDS=15V,ID=15A,VGS=4.5V 
 
GateSource Charge 
Qgs 
 
GateDrain Charge 
Qgd 
 
Body Diode Reverse Recovery Time 
Trr 
IF=5A, dI/dt=100A/μs 
  20   
Body Diode Reverse Recovery Charge  Qrr 
  10   
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS 
Dio  de Forward Voltage (Note 3) 
NO TES: 
VSD  VGS=0V,IS=1A  
  0.80  1.2 
1. Pulse Test: Pulse Width 300µs, Duty Cycle 2%.
2. RθJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is
defined as the solder mounting surface of the drain pins.RθJC is guaranteed by design while RθCA is determined by the
user's board design. RθJA shown below for single device operation on FR-4 in still air.
Unit 
V 
μA 
nA 
V 
mΩ 
mΩ 
PF 
PF 
PF 
nS 
nS 
nS 
nS 
nC
nC 
nC 
nS 
nC 
V 
2 



CXW 4515
 
 
N-channel
Enhancement
Mode
MOSFET
 
 
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS  
4515 DATASHEET
3424
Fig.1 Typical Output CharacteristicsV
16
184
1264 V GSG=S=44.5.5VV
120
816
612 VGS=10V
48
0 5 10 15 20 25 30
ID (A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate
Voltage (Note E)
30
ID=10A
25
125°C
20
15
10
25°C
5
2 4 6 8 10
VGS (Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
(Note E)
60
VDS=5V
50
40
30
20 125°C
10 25°C
0
01234
VGS(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)
5
Fig.2 On Resistance vs. G S Voltage
2 --
1.8
VGS=10V
1.6 ID=20A
17
1.4 5
2
1.2
VGS=4.5V10
1 ID=20A
0.8
0 25 50 75 100 125 150 175 200
T(eNmotpeeEra)ture (°C) 0
Figure 4: On-Resistance vs. Junction18Temperature
1.0E+02
(Note E)
1.0E+01
40
1.0E+00
1.0E-01
125°C
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.0E-04
1.0E-05
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
VSD (Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)
 
 
3 





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