3401 FET Datasheet

3401 Datasheet, PDF, Equivalent


Part Number

3401

Description

P-Channel Enhancement Mode MOS FET

Manufacture

CXW

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Datasheet
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3401
 P-channel Enhancement Mode MOSFET
 
 
 
 
  The   uses  advanced  trench  technology  to 
provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This 
device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM 
applications. 
GENERAL FEATURES 
RDS(ON) <  Ω @ 
  
RDS(ON) <  Ω @ 
 
High Power and current handing capability 
Lead free product is acquired 
Surface Mount Package 
Application 
PWM applications 
Load switch 
Power management 
 
 
3401 DATASHEET
3424
 
 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25unless otherwise noted) 
Symbol
Parameter
Common Ratings (TC=25°C Unless Otherwise Noted)
VGS Gate-Source Voltage
V(BR)DSS
TJ
  
TSTG
    IS
    IDM
ID
  
Drain-Source Breakdown Voltage
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
Diode Continuous Forward Current
Pulse Drain Current Tested
Continuous Drain Current(VGS=-10V)
  
TC =25°C
TC =25°C
TC =25°C
Rating
±12
-30
175
-50 to 150
-4.2
-16
-4.2
Unit
V
V
°C
°C
A
A
A
                            
1 
                         

3401
 P-channel Enhancement Mode MOSFET
 
 
 
 
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25unless otherwise noted) 
3401
DATASHEET
3424
Parameter 
OFF CHARACTERISTICS 
DrainSource Breakdown Voltage 
Zero Gate Voltage Drain Current 
GateBody Leakage Current 
ON CHARACTERISTICS (Note 3) 
Gate Threshold Voltage 
DrainSource OnState Resistance 
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note4) 
Input Capacitance 
Output Capacitance 
Reverse Transfer Capacitance 
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4) 
Turnon Delay Time 
Turnon Rise Time 
TurnOff Delay Time 
TurnOff Fall Time 
Total Gate Charge 
GateSource Charge 
GateDrain Charge 
Dio  de Forward Voltage (Note 3) 
Symbol  Condition 
Min  Typ  Max  Unit 
BVDSS 
IDSS 
IGSS 
VGS=0V 
 
 
VGS=±12V,VDS=0V 
  
  
  
 
1 
±100 
V 
μA 
nA 
VGS(th) 
RDS(ON) 
VDS=VGS,
 
VGS=-10V ID=-4 A
VGS=-4.5V ID=- 2A
Ciss 
Coss 
Crss 
      V 
  mΩ 
  mΩ 
  PF 
PF 
PF 
td(on) 
tr 
td(off) 
tf 
Qg 
Qgs 
Qgd 
VSD 
VDD=-15V,
ID=-1A,
RGEN=6
VGEN=-10V, RL=15
,
VDS=-15V, ID=-5.5A, V  GS=-10V
VDS=-15V, ID=-5.5A, VGS=-4.5V
VDS=-15V, ID=-5.5A, VGS=-10V
VGS=0V,IS  
 
 
 
 
 
 
 
 
    nS 
    nS 
    nS 
    nS 
nC
nC 
nC 
    V 
NOTES:
-a. Surface Mounted on FR4 Board, t <10 sec.
- -b. Pulse Test Pulse Width < 300 s, Duty Cycle < 2%.
c. Guaranteed by design, not subject to production testing.
2 


Features  P-channel Enhancement Mode MOSFET         The   uses  advanced  t rench  technology  to  provide  exc ellent  RDS(ON)  and  low  gate  c harge.  This  device  is  suitable for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GEN ERAL FEATURES   RDS(ON) <  Ω @     RDS(ON) <  Ω @     High Power and current handing capability   Lead free product is acquired   Surface Mount Pa ckage  Application   PWM applic ations   Load switch   Power  management      3401 DATASHEET 342 4       ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS( TA=25℃unless otherwise noted)  Sy mbol Parameter Common Ratings (TC=25 C Unless Otherwise Noted) VGS Gate-So urce Voltage V(BR)DSS TJ    TSTG     IS     IDM ID    Drain-So urce Breakdown Voltage Maximum Junction Temperature Storage Temperature Range Diode Continuous Forward Current① Pul se Drain Current Tested① Continuous Drain Current(VGS=-10V) ①    TC =25°C TC =25°C TC =25°C Rating ±12 -30 175 -50 to 150 -4.2 -16 -4.2 Unit V V °C °C A A A            .
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