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 P-channel Enhancement Mode MOSFET           The   uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.  GENERAL FEATURES   RDS(ON) <  Ω @     RDS(ON) <  Ω @     High Power and current handing capability   Lead free product is acquired   Surface Mount Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management      3401 DATASHEET 3424       ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Symbol Parameter Common Ratings (TC=25°C Unless Otherwise Noted) VGS Gate-Source Voltage V(BR)DSS TJ    TSTG     IS     IDM ID    Drain-Source Breakdown Voltage Maximum Junction Temperature Storage Temperature Range Diode Continuous Forward Current① Pulse Drain Current Tested① Continuous Drain Current(VGS=-10V) ①    TC =25°C TC =25°C TC =25°C Rating ±12 -30 175 -50 to 150 -4.2 -16 -4.2 Unit V V °C °C A A A                              1                             P-channel Enhancement Mode MOSFET         ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃unless otherwise noted)  3401 DATASHEET 3424 Parameter  OFF CHARACTERISTICS  Drain‐Source Breakdown Voltage  Zero Gate Voltage Drain Current  Gate‐Body Leakage Current  ON CHARACTERISTICS (Note 3)  Gate Threshold Voltage  Drain‐Source On‐State Resistance  DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note4)  Input Capacitance  Output Capacitance  Reverse Transfer Capacitance  SWITCHING CH...