4520

    N-channel Enhancement Mode MOSFET     DESCRIPTION    The   uses  advanced  trench  technology  to  provide  excellent  RDS(ON)  and  low  gate  charge.  This  device  is  suitable  for  use  as  a  load  switch  or  in    PWM  applications.      GENERAL FEATURES   RDS(ON) <  Ω @ VGS=4.5V    RDS(ON) <  Ω @ VGS=10V   High Power and current handing capability   Lead free product is acquired   Surface Mount Package  Application   PWM applications   Load switch   Power management      ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(TA=25℃unless otherwise noted)  Parameter  Symbol  Drain‐Source Voltage  VDS  Gate‐Source Voltage  Drain Current @ Continuous(Note 2)  VGS  ID（25℃）  ID（100℃）  Drain Current @ Current‐Pulsed (Note 1)  Maximum Power Dissipation (TA=25℃)  IDM  PD  Operating Junction and Storage Temperature Range  TJ,TSTG  THERMAL CHARACTERISTICS  Thermal Resistance,Junction‐to‐Ambient (Note 2)  RθJA             4520 DATASHEET 3424     Limit  45  +20          ‐55 To 150  35  Unit  V  V  A  A  A  W  ℃  ℃/W                               1                                N-channel Enhancement Mode MOSFET       ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃unless otherwise noted)  4520 DATASHEET 3424 Parameter  Symbol  Condition  Min  Typ  Max  OFF CHARACTERISTICS  Drain‐Source Breakdown Voltage  BVDSS  VGS=0V ID=250μA  45      Zero Gate Voltage Drain Current  IDSS  VDS=24V,VGS=0V      1  Gate‐Body Leakage Current  IGSS  VGS=±20V,VDS=0V      ...