Silicon rectifier diodes
RFT SY360/05 … SY360/16 – SY361/10 … SY361/18
Silizium- Gleichrichterdioden kleiner Leistung im Miniatur- Plast- Gehäuse...
Description
RFT SY360/05 … SY360/16 – SY361/10 … SY361/18
Silizium- Gleichrichterdioden kleiner Leistung im Miniatur- Plast- Gehäuse
Typ
SY360/05 1 2 3 4 6 8 10
U 1) RRM (V)
U 2) RSM (V)
50
100
200
300
400
600
800
1000
URWM (V)
UR
I 3)
FAV
(V) (A)
35
70
140
210 ≤ 0,95 280
420
560
700
SY361/10 13 16 18
1000 1300 1600 1800
700 900 1100 1250
1
f max.
=
Virtuelle Sperrschicht-
temperatur ϑj
=
1kHz -55 … +150°C
1) tp/T von UR ≤ 0,5 2) tp ≤ 20mS
3) Einwegschaltung, R-Last ϑa = 45°C, volle Drahtlänge auf Leiterplatte 4) Scheitelwert einer 50Hz- Sinushalbwelle, ϑj = 120°C, UR = 0
IFRM (A) ≤8
≤ 10
I 4)
FSM
(A) ≤ 40
≤ 50
2mal biegen der Anschlußdrähte um 180° mit Biegeradius ≥ 0,8mm zulässig
Quelle: Aktive elektronische Bauelemente – 1985
www.semicon-data.de
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Similar Datasheet