H27UCG8T2ETR-BC

64Gb Based NAND Flash 64Gb and 128Gb NAND Flash Specification Rev 1.0 /Aug. 2013 1 Document Title Revision History Revision No. 1.0 - Release Hynix Confidential H27UCG8T2ETR-BC / H27UDG8U2ETR-BC series NAND Flash History Draft Date Aug. 2013 Remark Rev 1.0 /Aug. 2013 2 Hynix Confidential H27UCG8T2ETR-BC / H27UDG8U2ETR-BC series NAND Flash Base product: 64Gb NAND Flash ■ Multilevel Cell technology ■ NAND INTERFACE      ‐ x8 bus width   ■ Supply Voltage     ‐ Vcc : 2.7V ~ 3.6V  ■ Package      ‐ T‐SOP                  :Size : 12x20mm      ‐ Pin count            : 48     ‐ 64Gbit: single die stack, H27UCG8T2ETR‐BC      ‐ 128Gbit: two‐die stack, H27UDG8U2ETR‐BC (TBD) ■ Organization     ‐ (16,384+1,664)bytes x 256pages x 1,060blocks x 2plane     ‐ Page size : 16,384+1,664bytes     ‐ Block size : 256pages x (4M+416K) bytes     ‐ Plane size : (1,024blocks + 36 block)/1plane   ■ Page Read / Program Time     ‐ Random Read Time(tR) : 90 us     ‐ Sequential Access (tRC/tWC) : 16ns(Min.)      (Read/Write throughput per pin : up to 50MHz)      ‐ Page Program Time : 1.5 ms ■ Block Erase      ‐ Block Erase Time : 5 ms (Typ)    ■ ECC Requirement  40bit correction /1KByte   ■ Operating Current      ‐ Page Read : 50 mA (max)     ‐ Page Program : 50 mA (max)     ‐ Block Erase: 50 mA (max)     ‐ Standby (CMOS): 50uA (max)  ■ Hardware Data Protection      ‐ Program/Erase locked during power transitions  Rev 1.0 /Aug. 2013 3 Hynix Confidential H27UCG8T2ETR-BC / H27UDG8U2ETR-BC ...