Junction Transistor. H13003DL Datasheet


H13003DL Transistor. Datasheet pdf. Equivalent


Part Number

H13003DL

Description

Bipolar Junction Transistor

Manufacture

Jingdao

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Datasheet
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H13003DL
R
www.jdsemi.cn
深圳市晶导电子有限公司
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
H13003DL
低频放大环境额定双极型晶体管
◆硅 NPN
◆符合 RoHS 环保指令要求
1.主要用途
主要用于 110V 电网的电子节能灯、
电子镇流器等
2.主要特点
集成抗饱和网络
高温特性好
开关速度快
3.封装外形
TO-126D
4.电特性
4.1 极限值
除非另有规定,Tamb= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极电流
耗散功率
结温
Ta=25
Tc=25
贮存温度
4.2 电参数
除非另有规定,Tamb= 25
参数名称
集电极-基 极击穿电压
集电极-发射极击穿电压
发射极-基 极击穿电压
集电极-基极截止电流
集电极-发射极截止电流
发射极-基极截止电流
共发射极电流放大系数
集电极-发射极饱和电压
基 极-发射极饱和电压
上升时间
下降时间
贮存时间
特征频率
*: 脉冲测试 tp300μs,δ≤2%
1 VD
1 基极(B) 2 集电极(C) 3 发射极(E)
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Ptot
Tj
Tstg
额定值
400
200
9
4.0
1.25
27
150
-55150
单位
V
V
V
A
W
符号
测试条件
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEO
IEBO
hFE*
VCE
*
sat
VBE
*
sat
tr
tf
ts
fT
IC=1mAIE=0
IC=1mAIB=0
IE=1mAIC=0
VCB=400V, IE=0
VCE=200V, IB=0
VEB=9V, IC=0
VCE=5V, IC=1mA
VCE=5V, IC=200mA
IC=1A, IB=0.5A
IC=1A, IB=0.5A
IC=250mA (UI9600)
VCE=20V,IC=20mA,
f=1MHz
规范值
最小 典型 最大
400
200
9
10
20
10
8
15 30
0.6
1.2
0.3
0.3
1.0 3.0
5
V
V
V
μA
μA
μA
V
V
μs
μs
μs
MHz
地址:深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园 3 号厂房 电话:0755-29799516
1 2013
传真:0755-29799515

H13003DL
R
www.jdsemi.cn
深圳市晶导电子有限公司
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.
H13003DL
低频放大环境额定双极型晶体管
5.特性曲线
图1
4.0
1.0
安全工作区(直流)
Ta=25
图 2 Ptot–T 关系曲线
30
24 Ptot-Tc
18
0.1
0.01
1
10 100
VCE (V)
图 3 静态输出特性曲线
1000
4.0
IB=200mA
Ta=25
12
6
Ptot-Ta
0
0 50 100
Tc ( ° C)
图 4 hFE-IC 关系曲线
150
100
Ta=25
2.0
IB=40mA
IB=20mA
0
0
5
VCE (V)
图 5 VBEsat-IC 关系曲线
10
Ta=25
IC/IB=2
1
10
0.1
10
VCE=5V
1
1mA 0.01
0.1
IC (A)
1
图 6 VCEsat-IC 关系曲线
1.5
Ta=25
IC/IB=2
10
1.0
0.01
0.1
1
Ic (A)
10
0.5
0.1
1
Ic (A)
10
地址:深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园 3 号厂房 电话:0755-29799516
2 2013
传真:0755-29799515


Features R www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Elect ronic Co.,Ltd. H13003DL ◆ NPN ◆ RoHS 1. 110V 、 2. 3. TO-126D 4. 4.1 Tamb= 25℃ - - - Ta=25℃ Tc=25℃ 4.2 Tam b= 25℃ - - - - - - - - *: tp≤300μs,δ≤2% 1 VD 1 (B) 2 (C) 3 (E) VCBO VCEO VEBO IC Ptot Tj Tstg 400 200 9 4.0 1.25 27 150 -55 150 V V V A W ℃ ℃ BVCBO BVC EO BVEBO ICBO ICEO IEBO hFE* VCE * s at VBE * sat tr tf ts fT IC=1mAI E=0 IC=1mAIB=0 IE=1mAIC=0 VCB=400V, IE= 0 VCE=200V, IB=0 VEB=9V, IC=0 VCE=5V, I C=1mA VCE=5V, IC=200mA IC=1A, IB=0.5A I C=1A, IB=0.5A IC=250mA (UI9600) VCE=20V ,IC=20mA, f=1MHz 400 200 9 10 20 1 0 8 15 30 0.6 1.2 0.3 0.3 1.0 3.0 5 V V V μA μA μA V V μs μs μs MHz : 3 :0755-29799516 1 2013 :0 755-29799515 R www.jdsemi.cn ShenZhe n Jingdao Electronic Co.,Ltd. H13003DL 5. 1 4.0 1.0 () Ta=25℃ 2 P tot–T 30 24 Ptot-Tc 18 Ptot (W) I C (A) 0.1 0.01 1 10 100 VCE (V) 3 1000 4.0 IB=200mA Ta=25℃ 12 6 Ptot-Ta 0 0 50 100 Tc ( ° C) 4 hFE-IC 150.
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