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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FS450R12OE4
EconoPACK™+ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundPressFIT/NTC EconoPACK™+modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandPressFIT/NTC
VCES = 1200V IC nom = 450A / ICRM = 900A
TypischeAnwendungen • Aufzugstechnik • Hochleistungsumrichter • Hybrid-Nutzfahrzeuge • Motorantriebe • SolarAnwendungen • USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften • Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender
Kurzschlussstrom • SehrgroßeRobustheit • TrenchIGBT4 • Tvjop=150°C • hoheStoßstromfestigkeit
MechanischeEigenschaften • HohemechanischeRobustheit • IntegrierterNTCTemperaturSensor • IsolierteBodenplatte • PressFITVerbindungstechnik • RoHSkonform
TypicalApplications • Elevators • HighPowerConverters • CommercialAgricultureVehicles • MotorDrives • SolarApplications • UPSSystems
ElectricalFeatures • High Short Circuit Capability, Self Limiting Short
CircuitCurrent • UnbeatableRobustness • TrenchIGBT4 • Tvjop=150°C • Highsurgecurrentcapability
MechanicalFeatures • Highmechanicalrobustness • IntegratedNTCtemperaturesensor • IsolatedBasePlate • PressFITContactTechnology • RoHScompliant
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:CU approvedby:WR
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
dateofpublication:2013-11-05 revision:3.2
ULapproved(E83335)
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FS450R12OE4
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 95°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VCES
IC nom IC
ICRM
Ptot
VGES
1200 450 660 900
2250
+/-20
V
A A
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 450 A, VGE = 15 V IC = 450 A, VGE = 15 V IC = 450 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 17,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emi.