RTR030N05HZG

RTR030N05HZG 　　Nch 45V 3A Small Signal MOSFET 　　 Datasheet VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 45V 67mΩ ±3A 1.0W lFeatures 1) Low on-resistance 2) Built-in G-S protection diode 3) Small surface mount package(TSMT3) 4) AEC-Q101 Qualified lOutline SOT-346T SC-96 TSMT3 　 　　　　　　 lInner circuit 　 lPackaging specifications Packing Embossed Tape Reel size (mm) 180 lApplication Switching Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) 8 3000 Taping code TL Marking lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) PV Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage VDSS 45 V Continuous drain current ID ±3 A Pulsed drain current IDP*1 ±12 A Gate - Source voltage VGSS ±12 V Power dissipation PD*2 1.0 W PD*3 0.7 W Junction temperature Tj 150 ℃ Operating junction and storage temperature range Tstg -55 to +150 ℃ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20180330 - Rev.001 　 　 RTR030N05HZG 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - ambient 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJA*2 RthJA*3 Values Min. Typ. Max. - - 125 - - 178 Unit ℃/W ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA Breakdown voltage temperature coefficient 　ΔV(BR)DSS　 ID = ...