RB088NS200

RB088NS200 Schottky Barrier Diode 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ●Outline VR 200 V Io 10 A IFSM 100 A 　 　　 ●Features High reliability Power mold type Cathode common dual type Super Low IR ●Inner Circuit Data sheet 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　 ●Application ●Packaging Specifications Switching power supply Packing Embossed Tape Reel Size(mm) 330 Taping Width(mm) 24 ●Structure Quantity(pcs) 1000 Silicon epitaxial planar Taping Code TL Marking RB088NS200 ●Absolute Maximum Ratings (Tj=25ºC unless otherwise specified) Parameter Symbol Conditions Limits Unit Repetitive peak reverse voltage VRM Duty≦0.5 200 V Reverse voltage Average rectified forward current Peak forward surge current Junction temperature VR Reverse direct voltage 200 V Io IFSM 60Hz half sin waveform，resistive load， Io/2 per diode，Tc=115℃Max. 60Hz half sin waveform， non-repetitive，per diode，Ta=25℃ 10 100 A A Tj - 150 ℃ Storage temperature Tstg - -55 ～ 150 ℃ Attention www.rohm.com © 2019- ROHMCo., Ltd.All rights reserved. 　 　 　　　　 　 　 1/6 　 2019/08/09_Rev.001 RB088NS200 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　　　　　　　　 Data sheet ●Electrical Characteristics Parameter Forward voltage(1) Reverse current(1) Note (1) Value per diode (Tj=25ºC unless otherwise specified) Symbol Conditions VF IF=5A IR VR=200V Min. Typ. Max. Unit - - 0.88 V - - 7 μA ●Thermal Characteristics 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 Parameter Symbol Min. Typ. Max. U...