BSS84HZG

BSS84HZG 　　Pch -60V -0.23A Small Signal MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD -60V 5.3Ω ±0.23A 350mW lFeatures 1) Trench MOSFET technology 2) Very fast switching 3) 4.5V Drive 4) AEC-Q101 qualified lOutline SOT-23 SST3 　 　 　　　　　　 lInner circuit 　　 Datasheet 　 lPackaging specifications Packing Embossed Tape Reel size (mm) 180 lApplication Switching circuits Type Tape width (mm) Quantity (pcs) 8 3000 High-side loadswitch Taping code T116 Relay driver Marking lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) VR Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage VDSS -60 V Continuous drain current ID ±0.23 A Pulsed drain current IDP*1 ±0.92 A Gate - Source voltage VGSS ±20 V Power dissipation PD*2 350 mW PD*3 200 mW Junction temperature Tj 150 ℃ Operating junction and storage temperature range Tstg -55 to +150 ℃ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2019 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20191029 - Rev.002 　 　 BSS84HZG 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - ambient 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJA*2 RthJA*3 Values Min. Typ. Max. - - 357 - - 625 Unit ℃/W ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = -1mA Breakdown voltage temperature coefficient ...