RQ5E025SN

RQ5E025SN 　　Nch 30V 2.5A Small Signal MOSFET VDSS RDS(on)(Max.) ID PD 30V 70mΩ ±2.5A 1.0W lFeatures 1) Low on - resistance 2) Built-in G-S Protection Diode 3) Small Surface Mount Package (TSMT3) 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lOutline SOT-346T SC-96 TSMT3 　 　　　　　　 lInner circuit 　　 Datasheet 　 lPackaging specifications Packing Embossed Tape Reel size (mm) 180 lApplication Switching Type Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) 8 3000 Taping code TL Marking lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) QY Parameter Symbol Value Unit Drain - Source voltage VDSS 30 V Continuous drain current ID ±2.5 A Pulsed drain current IDP*1 ±10 A Gate - Source voltage VGSS ±20 V Power dissipation PD*2 1.0 W PD*3 0.7 W Junction temperature Tj 150 ℃ Operating junction and storage temperature range Tstg -55 to +150 ℃ 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 www.rohm.com © 2017 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/11 20170316 - Rev.002 　 　 RQ5E025SN 　 　 　 　　 　 lThermal resistance Parameter Thermal resistance, junction - ambient 　 　 　 　 　 　 　 　 Datasheet 　 　 　　　　　　　　　　　　　　　　 Symbol RthJA*2 RthJA*3 Values Min. Typ. Max. - - 125 - - 178 Unit ℃/W ℃/W lElectrical characteristics (Ta = 25°C) Parameter Symbol Conditions Drain - Source breakdown voltage V(BR)DSS VGS = 0V, ID = 1mA Breakdown voltage temperature coefficie...