Document
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FS20R06W1E3
EasyPACKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPACKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
TypischeAnwendungen • Klimaanlagen • Motorantriebe • Servoumrichter • USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften • NiedrigeSchaltverluste • TrenchIGBT3 • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten • NiedrigesVCEsat
MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand • KompaktesDesign • Lötverbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
VCES = 600V IC nom = 20A / ICRM = 40A
TypicalApplications • AirConditioning • MotorDrives • ServoDrives • UPSSystems
ElectricalFeatures • LowSwitchingLosses • TrenchIGBT3 • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient • LowVCEsat
MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign • SolderContactTechnology • Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:DK approvedby:MB
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
dateofpublication:2013-10-03 revision:2.1
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FS20R06W1E3
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VorläufigeDaten PreliminaryData
VCES
IC nom IC
ICRM
Ptot
VGES
600 20 35 40
135
+/-20
V
A A
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 20 A, VGE = 15 V IC = 20 A, VGE = 15 V IC = 20 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductivelo.