F3L75R12W1H3_B27

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 J TypischeAnwendungen 3-Level-Applikationen SolarAnwendungen ElektrischeEigenschaften HighSpeedIGBTH3 NiederinduktivesDesign NiedrigeSchaltverluste NiedrigesVCEsat MechanischeEigenschaften 3kVAC1minIsolationsfestigkeit Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand KompaktesDesign PressFITVerbindungstechnik Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A TypicalApplications 3-level-applications Solarapplications ElectricalFeatures HighspeedIGBTH3 Lowinductivedesign Lowswitchinglosses LowVCEsat MechanicalFeatures 3kVAC1mininsulation Al2O3substratewithlowthermalresistance Compactdesign PressFITcontacttechnology Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM approvedby:AKDA ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 dateofpublication:2016-04-04 revision:V3.2 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module F3L75R12W1H3_B27 IGBT,T1-T4/IGBT,T1-T4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Str...