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FS3L200R10W3S7F_B11 Datasheet, Equivalent, IGBT.

IGBT

IGBT

 

 

 

Part FS3L200R10W3S7F_B11
Description IGBT
Feature FS3L200R10W3S7F_B11 EasyPACK™Modulmi tTRENCHSTOP™IGBT7undCoolSiC™Sc hottkyDiodeundPressFIT/NTC EasyPAC K™modulewithTRENCHSTOP™IGBT7an dCoolSiC™SchottkydiodeandPressFI T/NTC PotentielleAnwendungen
• 3- Level-Applikationen
• SolarAnwendung en
• USV-Systeme ElektrischeEigensch aften
• CoolSiCTMSchottkyDiodeGen 5
• NiedrigeSchaltverluste
• Trenc hstopTMIGBT7 MechanischeEigenschaften
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermis chen Widerstand
• IntegrierterNTCTe mperaturSensor
• KompaktesDesign PressFITVerbindungstechnik VCES = 9 50V IC nom = 100A / ICRM = 200A Potenti alAppl .
Manufacture Infineon
Datasheet
Download FS3L200R10W3S7F_B11 Datasheet
Part FS3L200R10W3S7F_B11
Description IGBT
Feature FS3L200R10W3S7F_B11 EasyPACK™Modulmi tTRENCHSTOP™IGBT7undCoolSiC™Sc hottkyDiodeundPressFIT/NTC EasyPAC K™modulewithTRENCHSTOP™IGBT7an dCoolSiC™SchottkydiodeandPressFI T/NTC PotentielleAnwendungen
• 3- Level-Applikationen
• SolarAnwendung en
• USV-Systeme ElektrischeEigensch aften
• CoolSiCTMSchottkyDiodeGen 5
• NiedrigeSchaltverluste
• Trenc hstopTMIGBT7 MechanischeEigenschaften
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermis chen Widerstand
• IntegrierterNTCTe mperaturSensor
• KompaktesDesign PressFITVerbindungstechnik VCES = 9 50V IC nom = 100A / ICRM = 200A Potenti alAppl .
Manufacture Infineon
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FS3L200R10W3S7F_B11

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FS3L200R10W3S7F_B11

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