IGBT
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FP50R06W2E3_B11
EasyPIM™2BModulPressFITmit...
Description
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FP50R06W2E3_B11
EasyPIM™2BModulPressFITmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode
EasyPIM™2BmodulePressFITwithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3Diode
VorläufigeDaten
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
PreliminaryData
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 75°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom IC
50 65
A A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
100
A
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Ptot
175
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter...
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