FS200R06KE3

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS200R06KE3 EconoPACK™3mitschnellemTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPACK™3withfasttrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode VorläufigeDaten IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter PreliminaryData HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  600 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 60°C, Tvj max = 175°C IC nom  200 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  400 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot  600 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 200 A, VGE = 15 V IC = 200 A, VGE = 15 V IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 3,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 600...