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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FF300R12KE4_E
62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiode 62mmC-SeriesmodulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiode VorläufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 1200V IC nom = 300A / ICRM = 600A
TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen • Hochleistungsumrichter • SolarAnwendungen • USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften • ErhöhteZwischenkreisspannung • Tvjop=150°C • TrenchIGBT4
MechanischeEigenschaften • 4kVAC1minIsolationsfestigkeit • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • IsolierteBodenplatte • Kupferbodenplatte • RoHSkonform • Standardgehäuse
TypicalApplications • 3-Level-Applications • HighFrequencySwitchingApplication • HighPowerConverters • SolarApplications • UPSSystems
ElectricalFeatures • IncreasedDClinkVoltage • Tvjop=150°C • TrenchIGBT4
MechanicalFeatures • 4kVAC1minInsulation • PackagewithCTI>400 • HighCreepageandClearanceDistances • IsolatedBasePlate • CopperBasePlate • RoHScompliant • StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:MK approvedby:MK
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
dateofpublication:2014-03-19 revision:2.0
ULapproved(E83335)
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FF300R12KE4_E
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VorläufigeDaten PreliminaryData
VCES
IC nom IC
ICRM
Ptot
VGES
1200 300 460 600
1600
+/-20
V
A A
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 300 A, VGE = 15 V IC = 300 A, VGE = 15 V IC = 300 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 11,5 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V,.