FF400R12KE3_B2

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FF400R12KE3_B2 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3,EmitterControlledHighEfficiencyDiodeundM5Lastanschluß 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT3EmitterControlledHighEfficiencydiodeandM5powerterminals IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VCES  IC nom IC  ICRM  Ptot  VGES  1200 400 580 800 2000 +/-20 V  A A A W V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 400 A, VGE = 15 V IC = 400 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 16,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Kollektor-Emitter-Reststrom Col...