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FZ800R12KS4_B2 Datasheet, Equivalent, IGBT.

IGBT

IGBT

 

 

 

Part FZ800R12KS4_B2
Description IGBT
Feature TechnischeInformation/TechnicalInfor mation IGBT-Module IGBT-modules FZ800 R12KS4_B2 HochleistungsmodulmitAlSiC BodenplatteundschnellemIGBT2fürh ochfrequentesSchalten HighPowerModu lewithAlSiCbaseplateandshorttail IGBT2forhighswitchingfrequency I GBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter Hö chstzulässigeWerte/MaximumRatedVa lues Kollektor-Emitter-Sperrspannung C ollector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousD Ccollectorcurrent TC = 80°C, Tvj ma x = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom R epetitivepeakcollect .
Manufacture Infineon
Datasheet
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Feature TechnischeInformation/TechnicalInfor mation IGBT-Module IGBT-modules FZ800 R12KS4_B2 HochleistungsmodulmitAlSiC BodenplatteundschnellemIGBT2fürh ochfrequentesSchalten HighPowerModu lewithAlSiCbaseplateandshorttail IGBT2forhighswitchingfrequency I GBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter Hö chstzulässigeWerte/MaximumRatedVa lues Kollektor-Emitter-Sperrspannung C ollector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousD Ccollectorcurrent TC = 80°C, Tvj ma x = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom R epetitivepeakcollect .
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FZ800R12KS4_B2

FZ800R12KS4_B2
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FZ800R12KS4_B2

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