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FD300R12KS4_B5

Infineon

IGBT

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FD300R12KS4_B5 62mmC-SerienModulmitschnel...


Infineon

FD300R12KS4_B5

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Description
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FD300R12KS4_B5 62mmC-SerienModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten 62mmC-seriesmodulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitching IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 60°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VorläufigeDaten PreliminaryData VCES  IC nom IC  ICRM  Ptot  VGES  1200 300 370 600 1950 +/-20 V  A A A W V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 300 A, VGE = 15 V IC = 300 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 12,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, V...




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