DF75R12W1H4F_B11
EasyPACKModulundPressFIT/NTC EasyPACKmoduleandPressFIT/NTC
J
TypischeAnwendungen • SolarAn...
DF75R12W1H4F_B11
EasyPACKModulundPressFIT/NTC EasyPACKmoduleandPressFIT/NTC
J
TypischeAnwendungen SolarAnwendungen
ElektrischeEigenschaften CoolSiC(TM)
SchottkyDiodeGen5 NiedrigeSchaltverluste
MechanischeEigenschaften 3kVAC1minIsolationsfestigkeit Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand IntegrierterNTCTemperaturSensor KompaktesDesign PressFITVerbindungstechnik
VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A
TypicalApplications Solarapplications
ElectricalFeatures CoolSiC(TM)
Schottkydiodegen5 Lowswitchinglosses
MechanicalFeatures 3kVAC1mininsulation Al2O3substratewithlowthermalresistance
IntegratedNTCtemperaturesensor Compactdesign PressFITcontacttechnology
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
Datasheet www.infineon.com
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V3.2 2017-03-31
DF75R12W1H4F_B11
Bypass-Diode/Bypass-Diode
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip
TH = 100°C
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TH = 100°C
StoßstromGrenzwert Surgeforw...