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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FS25R12W1T4_B11
EasyPACKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EasyPACKmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
J
TypischeAnwendungen • Klimaanlagen • Motorantriebe • Servoumrichter • USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat • TrenchIGBT4 • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten
MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand • KompaktesDesign • PressFITVerbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
VCES = 1200V IC nom = 25A / ICRM = 50A
TypicalApplications • AirConditioning • MotorDrives • ServoDrives • UPSSystems
ElectricalFeatures • LowSwitchingLosses • LowVCEsat • TrenchIGBT4 • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
MechanicalFeatures • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign • PressFITContactTechnology • Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:DK approvedby:MB
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
dateofpublication:2013-11-05 revision:2.0
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
FS25R12W1T4_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C TC = 25°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VorläufigeDaten PreliminaryData
VCES
IC nom IC
ICRM
Ptot
VGES
1200 25 45 50
205
+/-20
V
A A
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 20 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 20 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse
IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1200 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 20 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse
IC = 25 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C
RGoff = 20 Ω
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions
VCE sat VGEth QG RGint Cies Cres ICES IGES td on
tr
td off
tf
Eon
Eoff ISC RthJC RthCH Tvj op
min. typ. max.
1,85 2,25 V
2,15
V
2,25
V
5,0 5,8 6,5 V
0,20 µC
Ω
1,45 nF
0,05 nF
1,0 mA
400 nA
0,05
µs
0,05 µs
0,05
µs
0,027
µs
0,029 µs
0,03
µs
0,18
µs
0,27 µs
0,29
µs
0,16
µs
0,195 µs
0,215
µs
1,90
mJ
2,65 mJ
2,90
mJ
1,40
mJ
2,00 mJ
2,20
mJ
90
A
0,66 0,74 K/W
0,80
K/.