Document
FP25R12W2T4P
EasyPIM™ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC/bereits aufgetragenemThermalInterfaceMaterial EasyPIM™modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC/pre-applied ThermalInterfaceMaterial
VCES = 1200V IC nom = 25A / ICRM = 50A
TypischeAnwendungen • Hilfsumrichter • Klimaanlagen • Motorantriebe
ElektrischeEigenschaften • NiedrigeSchaltverluste • NiedrigesVCEsat • TrenchIGBT4 • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten
MechanischeEigenschaften • Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand • KompaktesDesign • Lötverbindungstechnik • Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern • Thermisches Interface Material bereits
aufgetragen
TypicalApplications • Auxiliaryinverters • Airconditioning • Motordrives
ElectricalFeatures • Lowswitchinglosses • LowVCEsat • TrenchIGBT4 • VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient
MechanicalFeatures • Al2O3substratewithlowthermalresistance
• Compactdesign • Soldercontacttechnology • Rugged mounting due to integrated mounting
clamps • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
Datasheet www.infineon.com
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.0 2017-05-04
FP25R12W2T4P
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 90°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VCES IC nom ICRM VGES
1200 25 50
+/-20
V A A V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V IC = 25 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 20 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V.