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FF600R12ME4E_B11
EconoDUAL™3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundPressFIT/NTC EconoDUAL™3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandPressFIT/NTC
PotentielleAnwendungen • Hilfsumrichter • Motorantriebe • SolarAnwendungen • USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften • NiedrigesVCEsat • Tvjop=150°C • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten
MechanischeEigenschaften • HoheLeistungsdichte • IsolierteBodenplatte • PressFITVerbindungstechnik • Standardgehäuse
VCES = 1200V IC nom = 600A / ICRM = 1200A
PotentialApplications • Auxiliaryinverters • Motordrives • Solarapplications • UPSsystems
ElectricalFeatures • LowVCEsat • Tvjop=150°C • VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient
MechanicalFeatures • Highpowerdensity • Isolatedbaseplate • PressFITcontacttechnology • Standardhousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
Datasheet www.infineon.com
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V3.0 2017-12-05
FF600R12ME4E_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VCES IC nom ICRM VGES
1200 600 1200 +/-20
V A A V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 600 A, VGE = 15 V IC = 600 A, VGE = 15 V IC = 600 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 23,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 1,3 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 1,3 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 600 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 1,3 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast Falltime,.