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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
F4-75R12KS4_B11
EconoPACK™2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundPressFIT/NTC EconoPACK™2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandPressFIT/NTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
TypischeAnwendungen • InduktivesErwärmenundSchweißen • USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften • Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender
Kurzschlussstrom • NiedrigeSchaltverluste
MechanischeEigenschaften • IsolierteBodenplatte • Kupferbodenplatte • PressFITVerbindungstechnik • RoHSkonform • Standardgehäuse
VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A
TypicalApplications • InductiveHeatingandWelding • UPSSystems
ElectricalFeatures • High Short Circuit Capability, Self Limiting Short
CircuitCurrent • LowSwitchingLosses
MechanicalFeatures • IsolatedBasePlate • CopperBasePlate • PressFITContactTechnology • RoHScompliant • StandardHousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:NK approvedby:RS
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
dateofpublication:2013-11-05 revision:2.0
ULapproved(E83335)
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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module IGBT-modules
F4-75R12KS4_B11
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 65°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VorläufigeDaten PreliminaryData
VCES
IC nom IC
ICRM
Ptot
VGES
1200 75 100 150
500
+/-20
V
A A
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 3,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 7,5 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C
Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload
IC = 75 A, VCE.