FS75R12KT3

TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FS75R12KT3 EconoPACK™2ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPACK™2withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode VorläufigeDaten IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter PreliminaryData HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES  1200 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C, Tvj max = 150°C IC nom IC  75 105  A A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM  150 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot  355 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VGES  +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 75 A, VGE = 15 V IC = 75 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 3,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-off...