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F4-100R17ME4_B11 Datasheet, Equivalent, IGBT.

IGBT

IGBT

 

 

 

Part F4-100R17ME4_B11
Description IGBT
Feature F4-100R17ME4_B11 EconoDUAL™3Modulmit Trench/FeldstoppIGBT4undEmitterCon trolled3Diode EconoDUAL™3modulewi thTrench/FieldstopIGBT4andEmitterC ontrolled3diode PotentielleAnwendun gen
• Hochleistungsumrichter
• Mitt elspannungsantriebe
• Windgeneratoren ElektrischeEigenschaften
• GroßeD C-Festigkeit
• HoheKurzschlussrobust heit
• NiedrigesVCEsat
• Tvjop= 150°C
• TrenchIGBT4
• VCEsatmi tpositivemTemperaturkoeffizienten Mec hanischeEigenschaften
• Al2O3 Substr at mit kleinem thermischen Widerstand IsolierteBodenplatte
• PressFITV erbindungstechnik VCES = 1700V IC nom = 100 .
Manufacture Infineon
Datasheet
Download F4-100R17ME4_B11 Datasheet
Part F4-100R17ME4_B11
Description IGBT
Feature F4-100R17ME4_B11 EconoDUAL™3Modulmit Trench/FeldstoppIGBT4undEmitterCon trolled3Diode EconoDUAL™3modulewi thTrench/FieldstopIGBT4andEmitterC ontrolled3diode PotentielleAnwendun gen
• Hochleistungsumrichter
• Mitt elspannungsantriebe
• Windgeneratoren ElektrischeEigenschaften
• GroßeD C-Festigkeit
• HoheKurzschlussrobust heit
• NiedrigesVCEsat
• Tvjop= 150°C
• TrenchIGBT4
• VCEsatmi tpositivemTemperaturkoeffizienten Mec hanischeEigenschaften
• Al2O3 Substr at mit kleinem thermischen Widerstand IsolierteBodenplatte
• PressFITV erbindungstechnik VCES = 1700V IC nom = 100 .
Manufacture Infineon
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F4-100R17ME4_B11

F4-100R17ME4_B11
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F4-100R17ME4_B11

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