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IFS100B12N3E4_B31

Infineon

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Description
TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules IFS100B12N3E4_B31 MIPAQ™baseModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeund Strommesswiderstand MIPAQ™basemodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandcurrentsense shunt VorläufigeDaten/PreliminaryData J VCES = 1200V IC nom = 100A / ICRM = 200A TypischeAnwendungen Motorantriebe Servoumrichter ElektrischeEigenschaften NiedrigeSchaltverluste Tvjop=150°C NiedrigesVCEsat MechanischeEigenschaften HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit IsolierteBodenplatte Kupferbodenplatte Standardgehäuse TypicalApplications MotorDrives ServoDrives ElectricalFeatures LowSwitchingLosses Tvjop=150°C LowVCEsat MechanicalFeatures HighPowerandThermalCyclingCapability IsolatedBasePlate CopperBasePlate StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CM approvedby:MS ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) dateofpublication:2013-03-06 revision:2.0 1 Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules IFS100B12N3E4_B31 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleichstrom C...




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