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FP50R12KT4P
EconoPIM™2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC/bereits aufgetragenemThermalInterfaceMaterial EconoPIM™2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC/pre-applied ThermalInterfaceMaterial
J
VCES = 1200V IC nom = 50A / ICRM = 100A
TypischeAnwendungen • Motorantriebe • Servoumrichter
ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • NiedrigeSchaltverluste • Tvjop=150°C • TrenchIGBT4
MechanischeEigenschaften • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • IntegrierterNTCTemperaturSensor • IsolierteBodenplatte • Kupferbodenplatte • Lötverbindungstechnik • RoHSkonform • Standardgehäuse • Thermisches Interface Material bereits
aufgetragen
TypicalApplications • Motordrives • Servodrives
ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • Lowswitchinglosses • Tvjop=150°C • TrenchIGBT4
MechanicalFeatures • Highpowerandthermalcyclingcapability • IntegratedNTCtemperaturesensor • Isolatedbaseplate • Copperbaseplate • Soldercontacttechnology • RoHScompliant • Standardhousing • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
Datasheet www.infineon.com
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V3.0 2017-03-17
FP50R12KT4P
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 80°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VCES IC nom ICRM VGES
1200 50 100
+/-20
V A A V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V IC = 50 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 1,70 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 20 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1400 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 15 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 20 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C
RGoff = 15 Ω
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions
min. typ. max.
VCE sat
1,85 2,15 V
2,15
V
2,25
V
VGEth 5,20 5,80 6,40 V
QG
0,38
µC
RGint
4,0
Ω
Cies
2,80
nF
Cres
0,10
nF
ICES
1,0 mA
IGES td on
tr td off
tf
Eon Eoff ISC RthJH
100 nA
0,16
µs
0,17
µs
0,17
µs
0,03
µs
0,04
µs
0,04
µs
0,33
µs
0,43
µs
0,45
µs
0,08
µs
0,15
µs
0,17
µs
5,70
mJ
7,70
mJ
8,40
mJ
2,80
mJ
4,30
mJ
4,80
mJ
180
A
0,671 K/W
Tvj op -40
150 °C
Datasheet
2
V3.0
2017-03-17
FP50R12KT4P
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent
tP =.