FF800R12KE3

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FF800R12KE3 Höchstzulässige Werte / maximum rated values vorläufige Daten preliminary data Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage Tvj= 25°C Kollektor Dauergleichstrom DC collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Tc= 80°C Tc= 25°C tp= 1ms, Tc= 80°C Gesamt Verlustleistung total power dissipation Tc= 25°C; Transistor Gate Emitter Spitzenspannung gate emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current tp= 1ms Grenzlastintegral I²t value VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C Isolations Prüfspannung insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min. VCES IC, nom IC ICRM Ptot VGES IF IFRM I²t VISOL 1200 800 1200 1600 3,9 +/- 20 800 1600 140 2,5 V A A A kW V A A k A²s kV Charakteristische Werte / characteristic values Transistor Wechselrichter / transistor inverter Kollektor Emitter Sättigungsspannung collector emitter satration voltage IC= 800A, VGE= 15V, Tvj= 25°C, IC= 800A, VGE= 15V, Tvj= 125°C, Gate Schwellenspannung gate threshold voltage IC= 32mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C, Gateladung gate charge VGE= -15V...+15V; VCE=...V Eingangskapazität input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V Kollektor Emitter Reststrom colle...