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FZ1200R12HE4P
IHM-BModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diodeundbereitsaufgetragenem ThermalInterfaceMaterial IHM-BmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandpre-appliedThermal InterfaceMaterial
TypischeAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe
ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • NiedrigeSchaltverluste
MechanischeEigenschaften • GehäusemitCTI>400 • HoheLeistungsdichte • IHMBGehäuse • RoHSkonform • Thermisches Interface Material bereits
aufgetragen
VCES = 1200V IC nom = 1200A / ICRM = 2400A
TypicalApplications • Highpowerconverters • Motordrives
ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • Lowswitchinglosses
MechanicalFeatures • PackagewithCTI>400 • Highpowerdensity • IHMBhousing • RoHScompliant • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
Datasheet www.infineon.com
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V3.0 2016-10-17
FZ1200R12HE4P
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 100°C, Tvj max = 175°C TH = 25°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VCES
IC nom IC
ICRM
VGES
1200 1200 1825 2400
+/-20
V
A A
A
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 1200 A, VGE = 15 V IC = 1200 A, VGE = 15 V IC = 1200 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 45,5 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,6 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,6 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 0,62 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload
IC = 1200 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 0,62 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse
IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 54 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 5900 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 1,6 Ω
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse
IC = 1200 A, VCE = 600 V, LS = 54 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2750 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C
RGoff = 0,62 Ω
Tvj = 150°C
Kurzschlußverhalten SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions
min. typ. max.
VCE sat
1,75 2,10 V 2,00 2,40 V 2,05 2,45 V
VGEth 5,20 5,80 6,40 V
QG
9,25
µC
RGint
1,6
Ω
Cies
74,0
nF
Cres
4,10
nF
ICES
5,0 mA
IGES td on
tr td off
tf
Eon Eoff ISC RthJH
400 nA
0,41
µs
0,46
µs
0,46
µs
0,20
µs
0,20
µs
0,20
µs
0,82
µs
0,93
µs
0,96
µs
0,11
µs
0,14
µs
0,17
µs
115
mJ
155
mJ
175
mJ
145
mJ
180
mJ
195
mJ
4800
A
25,4 K/kW
Tvj op -40
150 °C
Datasheet
2
V3.0
2016-10-17
FZ1200R12HE4P
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung Forwardvoltage
IF = 1200 A, VGE = 0 V IF = 1.