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FF1800R12IE5P
PrimePACK™3+ModulmitTrench/FeldstoppIGBT5,EmitterControlled5Diodeundbereitsaufgetragenem ThermalInterfaceMaterial PrimePACK™3+modulewithTrench/FieldstopIGBT5,EmitterControlled5diodeandpre-appliedThermal InterfaceMaterial
PotentielleAnwendungen • Hochleistungsumrichter • Motorantriebe • SolarAnwendungen • USV-Systeme
ElektrischeEigenschaften • ErweiterteSperrschichttemperaturTvjop • HoheKurzschlussrobustheit • SehrgroßeRobustheit • Tvjop=175°C • TrenchIGBT5
MechanischeEigenschaften • GehäusemitCTI>400 • GroßeLuft-undKriechstrecken • HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit • HoheLeistungsdichte
VCES = 1200V IC nom = 1800A / ICRM = 3600A
PotentialApplications • Highpowerconverters • Motordrives • Solarapplications • UPSsystems
ElectricalFeatures • ExtendedoperatingtemperatureTvjop • Highshort-circuitcapability • Unbeatablerobustness • Tvjop=175°C • TrenchIGBT5
MechanicalFeatures • PackagewithCTI>400 • Highcreepageandclearancedistances • Highpowerandthermalcyclingcapability • Highpowerdensity
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek)
Digit 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23
Datasheet www.infineon.com
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V3.0 2018-01-26
FF1800R12IE5P
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
TH = 50°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage
VCES IC nom ICRM VGES
1200 1800 3600 +/-20
V A A V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage
IC = 1800 A, VGE = 15 V IC = 1800 A, VGE = 15 V IC = 1800 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C
Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage
IC = 49,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung Gatecharge
VGE = -15 V ... +15 V
InternerGatewiderstand Internalgateresistor
Tvj = 25°C
Eingangskapazität Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 1800 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 0,82 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C
Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload
IC = 1800 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 0,82 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 1800 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C
Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload
IC = 1800 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 175°C
EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse
IC = 1800 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 8150 A/µs (Tvj = 175°C) Tvj = 125°C
RGon = 0,82 Ω
Tvj = 175°C
AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse
IC = 1800 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 2350 V/µs (Tvj = 175°C)Tvj = 125°C
RGoff = 0,82 Ω
Tvj = 175°C
Kurzschlußverhalten SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 10 µs, Tvj = 175°C
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial
TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions
min. typ. max.
VCE sat
1,70 2,15 V 2,00 2,45 V 2,15 2,60 V
VGEth 5,25 5,80 6,35 V
QG
8,65
µC
RGint
0,5
Ω
Cies
98,5
nF
Cres
3,90
nF
ICES
5,0 mA
IGES td on
tr td off
tf
Eon Eoff ISC RthJH
400 nA
0,24
µs
0,29
µs
0,31
µs
0,19
µs
0,20
µs
0,20
µs
0,57
µs
0,63
µs
0,66
µs
0,10
µs
0,12
µs
0,14
µs
130
mJ
195
mJ
235
mJ
210
mJ
260
mJ
290
mJ
6800
A
27,1 K/kW
Tvj op -40
175 °C
Datasheet
2
V3.0
2018-01-26
FF1800R12IE5P
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral I²t-v.