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FD800R17KE3_B2 Datasheet, Equivalent, IGBT.

IGBT

IGBT

 

 

 

Part FD800R17KE3_B2
Description IGBT
Feature TechnischeInformation/TechnicalInfor mation IGBT-Module IGBT-modules FD800 R17KE3_B2 IGBT,Brems-Chopper/IGBT, Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte /MaximumRatedValues Kollektor-Emitt er-Sperrspannung Collector-emittervolt age Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleich strom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C , Tvj max = 150°C PeriodischerKollek tor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollec torcurrent tP = 1 ms Gesamt-Verlustl eistung Totalpowerdissipation TC = 2 5°C, Tvj max = 150°C Gate-Emitter-Sp itzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VorläufigeDaten P .
Manufacture Infineon
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Part FD800R17KE3_B2
Description IGBT
Feature TechnischeInformation/TechnicalInfor mation IGBT-Module IGBT-modules FD800 R17KE3_B2 IGBT,Brems-Chopper/IGBT, Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte /MaximumRatedValues Kollektor-Emitt er-Sperrspannung Collector-emittervolt age Tvj = 25°C Kollektor-Dauergleich strom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C TC = 25°C , Tvj max = 150°C PeriodischerKollek tor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollec torcurrent tP = 1 ms Gesamt-Verlustl eistung Totalpowerdissipation TC = 2 5°C, Tvj max = 150°C Gate-Emitter-Sp itzenspannung Gate-emitterpeakvoltage  VorläufigeDaten P .
Manufacture Infineon
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FD800R17KE3_B2

FD800R17KE3_B2
FD800R17KE3_B2

FD800R17KE3_B2

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