IGBT
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul IGBT-Module
DD800S33K2C
Diode,Wechselrichter/Diode,Inve...
Description
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Modul IGBT-Module
DD800S33K2C
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C Tvj = -25°C
Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation
Tvj = 125°C
Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime
VRRM IF IFRM I²t
PRQM ton min
3300 3300 800
1600
220
1600
10,0
V A A kA²s kW µs
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung Forwardvoltage
IF = 800 A, VGE = 0 V IF = 800 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C Tvj = 125°C
Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent
IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge
IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy
IF = 800 A, - diF/dt = 4500 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 1800 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchalt...
Similar Datasheet
- DD800S33K2C IGBT - Infineon